2018年中国半导体行业国产化发展现状分析

2018-04-16 14:47:46 来源:

  中国半导体行业协会统计, 2017 年 1-9 月中国集成电路产业销售额为 3646.1 亿元,同比增长 22.4%。其中,设计业同比增长 25%,销售额为 1468.4 亿元;制造业在存储器需求旺盛和国内 8 英寸线满产的拉动下,保持高速增长, 1-9月同比增长 27.1%,销售额为 899.1 亿元;封装测试业销售额 1278.6 亿元,同比增长 16.5%。从产业环节来看,国内集成电路制造、设计、封测、装备、材料环节迎来黄金发展阶段,基于技术门槛考虑,国产化进程势必沿着封测-制造-材料路线传导。 1)预计 IC 设计 2018 年将维持约 20%的增长; 2)中国存储器长江存储、合肥睿力、晋华集成 2018 年开始产能逐步开出,国产替代可期; 3)半导体材料被美日韩等少数国际少数公司垄断,国内半导体材料部分材料已快速实现国产替代,如靶材标的江丰电子300666)已经成功打破美国、日本跨国公司的垄断格局,填补了国内电子材料行业的空白;占比最大的大硅片已经实现了国产替代 0 到 1 的过程,国产化替代逐步提上日程。4)全球半导体设备资本支出占总体资本支出的比例平均约为三分之二,随着半导体节点技术增加以及生产建设加速,半导体设备迎来发展的黄金阶段。 2017 年晶圆厂设备投资相关支出达到 570 亿美元的历史新高,较前一年增加 41%,2018 年支出可望增加 11%,达 630 亿美元。 5)国内封测弯道超车,目前中国(不含台湾省)集成电路封装已经形成了三大领军公司,分别是长电科技600584)、华天科技002185)、通富微电002156),都位居全球前十大封测公司之列。

  2017 年中国 IC 设计业产值预估达人民币 2006 亿元,年增率为 22%,预估 2018年产值有望突破人民币 2400 亿元,维持约 20%的年增速。 目前国家大基金二期资金也正在募集当中,大基金二期投资项目在 IC 设计领域的投资比重有望增加至 20%-25%。

  2016-2018 年中国 IC 设计产业概况

  资料来源:公开资料整理

  从 2007 年与 2017 年中国十大集成电路设计公司销售额对比可以看出,国内企业市场化逐步由低端转向高端,政府采购也趋于市场化,销售额实现快速增长,以海思为例,在 2007 年销售额为 12.9 亿元, 2017 年达到 390 亿元,同比增长约 29 倍。观察 2017 年中国 IC 设计产业发展,厂商技术发展仅限于低端产品的状况已逐步改善,海思的高端手机应用处理芯片已率先采用 10nm 先进制程,海思、中兴微的 NB-IoT、寒武纪、地平线的 AI 布局也已在国际崭露头角,展锐、大唐、海思的 5G 部署也顺利进行中。2017 年比特大陆芯片销售额达到 143 亿元人民币,仅次于华为海思,成为中国第二大的 IC 设计公司,主要受益于比特币持续暴涨。比特大陆成立于 2013 年,由吴忌寒和芯片设计专家詹克团(Micree Zhan)联合创办,是一家生产比特币挖矿机、定制芯片、运营“矿池”(比特币矿工工厂)的初创公司。

  2007 年&2017 年中国十大 IC 设计公司对比(单位:亿元)

  资料来源:公开资料整理

  中国存储器长江存储、合肥睿力、晋华集成 2018 年开始产能逐步开出,其中 NAND Flash 发展上最有望突围的为长江存储,将在 2017 完成 32 层 3D NAND 研发布,有望在 2018 年量产之时,完成 64 层设计; DRAM 发展最快的则为合肥睿力,去年完成厂房封顶并且移入测试机台移, 2018 年年初可以进入试产阶段。长江存储:国家存储器基地项目位于武汉东湖高新600133)区的武汉未来科技城,项目一期规划投资 240 亿美元,占地面积 1968 亩,于 2016 年 12 月 30 日正式开工建设,将建设 3 座全球单座洁净面积最大的 3D NAND Flash 生产厂房,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过 3 万美元。其中,(一期)一号生产及动力厂房在 2017 年 9 月份实现提前封,预计将于 2018 年投入使用。项目(一期)达产后,总产能将达到 30 万片/月,年产值将超过 100 亿美元。合肥睿力: 2017 年初合肥睿力宣布以 72 亿美元兴建 12 吋晶圆厂,预计最大单月产能达 12.5 万片规模,计划 2017年厂房建成, 2018 年上半年完成设备安装和调试,预计下半年产品研发成功。晋华集成: 2017 年 2 月份正式落地晋江,该项目规划面积 594 亩,一期总投资 370 亿元,主要建设 12 英寸内存晶圆生产线,产能规模为月产 6 万片内存晶圆;二期将新增 6 万片内存晶圆产能规模。在技术路径上,将首先依托台湾联华电子集团共同开展产品研发和制程设计,达到一期项目产品要求后,转入自主建设研发体系、自主开发新世纪产品,持续跟进全球内存制造前沿技术。

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责任编辑:plb

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