安徽合肥长鑫存储实现我国内存芯片量产技术突破

2019-10-23 14:51:11 来源: 同花顺金融研究中心

近期,总投资约1500亿元、位于合肥的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产,与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相,一期设计产能每月12万片晶圆。这标志我国在内存芯片领域实现量产技术突破,拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。(新华视点)

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