科研人员研发新型氮化镓器件 5G技术峰值速率超预期

2020-05-19 07:54:03 来源: 证券时报网

  据报道,美国科研人员研发出了一款名为“谐振隧穿二极管”的新型氮化镓基电子器件,其应用于5G技术峰值速率超越了预期。研究人员表示:“氮化镓基‘谐振隧穿二极管’比传统材料‘谐振隧穿二极管’的频率和输出功率都高,其速率快慢的关键在于采用了氮化镓材料。”该氮化镓基“谐振隧穿二极管”打破了传统器件的电流输出与开关速率的纪录,能使应用程序(包括通信、联网与遥感)获取毫米波范围内的电磁波以及太赫兹频率。

  华创证券指出,作为第三代半导体材料,氮化镓凭借其本身高频低阻、高导热、耐高温、小体积等特点,在无线通信、汽车电子、电网、高铁、卫星通信、

  军工雷达、航空航天等领域应用中具备硅基无法比拟的优势。随着成本的降低,预计在氮化镓应用上有望获得重大突破,氮化镓有望逐步实现大规模产业化应用。氮化镓半导体器件相关公司主要有亚光科技300123)、海特高新002023)、台基股份300046)、乾照光电300102)等。

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