赛晶电力电子发布首款自研IGBT芯片及模块产品

2020-09-28 21:36:29 来源: 中证网 作者:吴科任
利好

  中证网讯(记者 吴科任)9月28日,赛晶电力电子(00580.HK)发布首款由公司自主研发的国产IGBT芯片及模块产品(1200V),其主要应用场景为新能源发电领域。未来,公司还将推出600V至1700V的中低压领域产品,瞄准电动汽车、光伏风电、工业变频等市场。

  IGBT,又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有驱动功率小、饱和压降低等特点,适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

  国元证券表示,IGBT是新型电力电子器件,被称为电力电子的“CPU”。在新能源、节能环保等一系列国家政策的支持下,国内IGBT市场持续快速增长。但目前IGBT市场基本由欧美企业垄断,中国企业市场份额较低,国产替代空间广阔。

  目前,国内许多厂商正在积极研发IGBT,许多产业链终端用户也在支持国产IGBT产品。

  赛晶电力电子董事会主席项颉表示:“尽管在低电压、小功率、技术难度和性能要求相对较低的领域,国内企业取得了不错的成绩,特别是模块封装企业进步明显,但对IGBT模块性能起到决定性作用的IGBT芯片,国内与国外技术差距较大。”

  公开资料显示,4年前,赛晶电力电子开始布局IGBT,今年6月生产基地落地浙江嘉兴。该项目规划建设2条IGBT芯片背面工艺生产线、5条IGBT模块封装测试生产线,建成后年产能达200万件IGBT模块产品。

  项颉介绍,上述项目预计今年年底前厂房建设完成,2021年一季度第一条生产线试生产、第二条生产线投资启动,预计未来3至5年完成全部生产线建设。“一旦公司产品批量供货,产能释放,可迅速帮助市场与企业解决缺货问题,缓解供需失衡的现状。”

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责任编辑:zjl

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