半导体板块大涨 工艺实现关键突破 未来芯片成本有望节约一半
7月21日,半导体及元件板块大涨,截至发稿,芯海科技涨停,国民技术(300077)涨超17%,敏芯股份涨超12%,综艺股份(600770)、康强电子(002119)、立昂微(605358)涨停,北京君正(300223)、北方华创(002371)、瑞芯微(603893)等个股纷纷跟涨。
据中国证券报报道,Institute of Microeletronics(IME)的研究人员近日实现了一项工艺突破,完成了多达四个半导体层的堆叠。与传统的二维制造技术相比,可以节省50%的成本,该技术可能会用于未来的CPU和GPU上,或许真正的新一代3D芯片堆叠就在眼前。
相比此前台积电和AMD的SRAM堆叠技术,IME的这项新技术更进一步,通过TSV(硅通孔技术)成功粘合了四个独立的硅层,允许不同模具之间通信。这样的技术带来的好处是显而易见的,可以允许芯片由不同工艺的组件在不同晶圆中制造。
传统提升芯片性能的工艺技术发展此前受到不少阻碍。英特尔在14nm工艺节点徘徊了很久,想进入10nm以下区域估计也要费不少周折。即便处于领先地位的台积电(TSMC),近期也传出3nm工艺延期的消息。因此,半导体层的堆叠或许能成为未来芯片性能提升的新方式。
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