南大光电取得半导体级四氯化铪的制备方法专利,确保收集到的四氯化铪纯度达到99.999%以上
2024年3月14日消息,据国家知识产权局公告,江苏南大光电(300346)材料股份有限公司取得一项名为“半导体级四氯化铪的制备方法“,授权公告号CN114835160B,申请日期为2022年5月。
专利摘要显示,本发明公开了半导体级四氯化铪的制备方法,在惰性气氛下取用无机纯度在99.9%以上的四氯化铪原料;惰性气氛下升华收集中间馏分,于真空条件升华,高温区温度280℃~250℃,升华温度230℃~210℃,高沸点区温度200℃~180℃,接收区温度150℃~130℃,低沸点区接收温度120℃~90℃;升华结束,破空,在惰性气氛无水无氧条件下刮料。通过高真空减压升华工艺提纯固体源,确保收集到的四氯化铪纯度达到99.999%以上,高真空有效去除高沸点杂质;通过惰性手套箱的使用,确保产品不会吸潮腐蚀;显著降低四氯化铪中的锆、铁、钛等金属无机离子含量,作为制备氧化铪沉积层的原料,满足14nm制程工艺要求。
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