东尼电子扩建SiC项目：年产能达20万片
2024-03-28 22:50:19
来源：
中国电子材料行业协会
3月18日，湖州市生态环境局公示了关于东尼电子（603595）扩建SiC项目环评文件审批意见。
公告显示，东尼电子扩建年产20万片6英寸碳化硅衬底材料项目位于湖州市吴兴区织里镇，由旗下全资子公司东尼半导体负责建设。
东尼半导体计划利用东尼五期厂区的厂房进行扩建，购置包括长晶炉、研磨机、超声波清洗机等在内的421台/套晶体生产加工设备及检测仪器，以形成年产20万片碳化硅衬底材料的生产能力。
据悉，浙江东尼电子股份有限公司始创于2008年，2017年在上交所主板上市，专注于超微细合金线材、金属基复合材料及其它新材料的应用研发、生产与销售。公司生产的产品主要应用于消费电子、医疗、太阳能光伏、新能源汽车、半导体新材料五大领域。
在半导体新材料领域，东尼采用的前沿技术突破了碳化硅单晶材料的大直径生长、多型控制、应力和位错缺陷降低等关键问题，解决了碳化硅晶体生长缺陷数量的控制和晶体品质的瓶颈问题，从而得到高质量、大尺寸的碳化硅单晶材料。
东尼通过多年的技术沉淀和前期的市场调研，引进了领军型创新团队，专注于碳化硅半导体材料研究。其中项目负责人拥有丰富的碳化硅单晶衬底材料制备经验，团队成员包括彼得辛格博士、肯尼斯博士等。
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东尼电子
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