中信证券：2024、2025年全球HBM容量需求年化增长超100%

2024-04-18 08:12:45 来源：同花顺7x24快讯

　　中信证券研报认为，在AI大模型时代云端、终端算力双重爆发的带动下，存储行业将从涨价修复周期转向技术成长共振的新周期。云端角度，HBM高带宽特性能够满足AI算力芯片高速传输需求，与AI算力规模快速扩容相辅相成，带动TSV、2.5D封装(CoWoS)需求；此外企业级内存条和SSD需求亦同步攀升。终端角度，端侧大模型落地带动SoC算力提升，内存作为算力的核心配套，对其规格、容量均提出更高的要求。对于新型存储HBM，我们建议关注布局先进封装的封测厂商、半导体设备厂商；对于传统存储DRAM/NAND Flash，我们建议关注受益DDR5渗透的内存配套芯片厂商，以及布局企业级内存模组的头部模组厂商。

　　技术来看，HBM创新采用3D堆叠和2.5D先进封装技术，通过TSV/Microbump实现芯片间垂直方向的互联，大幅增加了I/O接口数量、提高带宽，再通过2.5DCoWoS封装和AI算力芯片结合，充分释放算力性能。需求来看，TrendForce估算2023年市场上主流AI芯片搭载HBM总容量达2.9亿GB；随AI算力芯片快速迭代，配套HBM容量升级明显，我们测算2024、2025年全球HBM容量需求年化增长超100%，占DRAM总容量需求将从2023年的不足1%增长至超5%。供应链角度，1）海外方面，目前三大原厂SK海力士、三星电子、美光科技几乎垄断全球HBM供应，根据TrendForce，2022年三家市场份额分别为50%/40%/10%。面对需求爆发式增长，三大原厂与先进封装厂商配合加速扩产和产品迭代，根据各厂商公告进度，目前HBM3E美光科技量产进度和SK海力士基本拉齐；2）国内方面，我们认为后续在本土高端封测厂商和设备厂商的配合下，国内DRAM存储原厂有望跟进HBM产品，对半导体设备产生增量需求。综合来看，在需求与叠加技术创新周期的双重叠加下，HBM原厂、先进封装、半导体设备、半导体材料等环节公司均有望持续受益。

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