01

　　手机充电技术的发展历史及现状

　　USB-PD，英文全称为USB Power Delivery，是USB的标准化组织USB-IF推出的一个快速充电的标准。经过近7年时间的发展与更新，如今的USB PD快充协议已经由最初的1.0版本、2.0版本、3.0版本发展到PPS(Programmable Power Supply)，现在又推出了最新的3.1版本。目前为止，我们现有的使用消费类产品大部分停留在USB-PD 3.0的时代。

　　接口方面，当下USB-C即type C接口以其正反插即可、可通大电流的同时还能实现数据传输的优势稳居市场占有量最大。

　　从2010年到2021年，快充技术整体上基本经历了4次大的变更，功率从7.5W到最大可实现240W的功率等级。

　　02

　　快充技术方案概述

　　传统的手机充电器采用的是PSR反激电路，这种充电器的电路是最早研发被采用的，目前市场上15W以下的充电器大多也采用这种方案，相对于SSR来讲，PSR反激电路主要有以下优缺点：

　　优点：PSR 省掉了光耦、431 及它们周边元件，所以体积可以做得更小，价格更便宜；

　　缺点：PSR采用原边辅助绕组作为采样电压，由于变压器工艺、输出二极管的一致性、输出寄生电阻等因素，导致 PSR 输出精度较低，一般只用在小功率电源上（15W 以内）。

　　PSR反激电路

　　相对来讲，SSR电路较PSR电路要复杂一点，主要优缺点如下：

　　优点：由于采用的是副边反馈，所以反馈的速度比较快，精度更准确，使得电路的稳定性更高，动态响应速度更快，输出电压电流精度高，可应用的领域更多；

　　缺点：由于反馈控制要更快更精准，采用了光耦和431,使得电路板上元器件的成本增加。

　　SSR反激电路

　　现在的手机充电器电路方案：SSR反激电路+协议输出可调组成的电路。下图为目前市场上流通的带有协议的充电器采用的方案，也是目前市场上采用量最大的方案，输出功率从18W-120W不等；目前最新的充电器功率240W,后续也将大批量投入市场。

　　优点：输出功率随着手机和充电器的协议可以进行调节，而且输出稳定，采用MOS管用来同步整流大大减小了整流时的损耗，输出VBUS MOS管可及时对输出进行保护和调节，安全性高；

　　缺点：元器件多，成本高。

　　SSR反激电路+协议组合电路

　　现状较少但是未来有一定发展趋势的手机充电器电路方案：PFC+SSR反激电路+协议输出可调组成的电路。图中这种方案目前市场上流通量较少，但必定是未来发展趋势，这种手机充电器的功率一般是≥100W时才会采用这样的方案，后续随着充电器功能功率不断加大，这种方案采用的会更多。

　　优点：增加了PFC电路，使功率因数增大，在同等方案下充电器功率可以做得更大。

　　缺点：元器件多，成本高。

　　PFC+SSR反激电路+协议组合电路

　　03

　　贝岭功率器件在PD应用的产品推荐

　　3.1手机充电器对功率MOSFET技术需求1

　　手机充电器中，PFC和初级开关管有如下技术需求：

　　高击穿电压：保证开关MOS能够不被击穿；

　　低内阻：导通状态下产生的功率小，发热少；

　　低开关损耗：使开关导致的损耗降低，发热减少；

　　低热阻：正常工作时发热量小；

　　低di/dt和dv/dt：开关状态下产生震荡以及杂波小，产生较小的电磁干扰。

　　贝岭型号推荐：

　　3.2手机充电器对功率MOSFET技术需求2

　　手机充电器中整流开关管和VBUS开关管技术需求如下：

　　高击穿电压：保证开关MOS能够不被击穿；

　　低内阻：导通状态下产生的功率小，发热少；

　　低热阻：正常工作时发热量小；

　　高雪崩耐量：发生异常短路情况时会产生较大的电压电流尖峰，高雪崩耐量可使MOS管不被击穿；

　　短路电流能力强：短路瞬间会产生较大电流，MOS管需要有承受较大电流的能力。

　　贝岭型号推荐：

　　04

　　贝岭电源IC器件在PD应用的产品推荐

　　ME8138: 高性能电流模式 GaN驱动控制器

　　应用场合：

　　应用于PD快充、适配器、充电器、开放式电源

　　ME8138亮点

　　内置650V 800mΩ氮化镓

　　超宽VDD供电范围9.6V-80V

　　待机功耗<75mW

　　软启动 自适应软驱动

　　频率抖动和峰值电流抖动

　　轻载打嗝模式及噪音优化

　　前沿消隐

　　内置斜坡补偿

　　OCP、OLP、UVLO、VDD-OVP、OTP、LEB、CS-SCB等

　　SOP8封装

　　ME8131: 高性能电流模式PWM驱动控制器

　　应用场合：

　　应用于PD快充、适配器、充电器、开放式电源

　　ME8131亮点

　　低启动电流,待机功耗<75mW

　　超宽VDD供电范围 9.6V-80V

　　恒功率控制

　　软启动、自适应软驱动功能

　　频率抖动和峰值电流抖动

　　轻载打嗝模式及噪音优化

　　前沿消隐

　　内置斜坡补偿

　　OCP、UVLO、VCC-OVP、OTP、LEB、CS-SCB等

　　ME8128: 高性能离线QR GaN反激变换器

　　应用场合：

　　应用于PD快充电源、适配器等反激式开关电源

　　ME8128亮点

　　合封 480mΩ/650V 氮化镓

　　准谐振QR模式

　　最高支持170KHz工作频率

　　软启动、低启动电流和静态工作电流

　　频率抖动和峰值电流抖动

　　轻载打嗝模式及噪音优化

　　OCP、OLP、UVLO、VCC OVP、OTP、LEB、CS-SCB、输入过欠压自恢复保护Brown out等

　　ESOP8、

　　DFN8L (5*6*0.85-1.27)封装

　　ME841X:同步整流控制器 & 转换器

　　应用场合：

　　应用于PD快充电源、充电器、适配器等反激式开关电源

　　ME841X亮点

　　外推MOS和 内置80V/ 100 MOS

　　支持反激应用 低待机功耗

　　兼容CCMDCM QRCrCM工作模式

　　驱动电压动态调整控制

　　集成150V高压检测和高压供电

　　<30ns关断延时

　　欠压保护等功能

　　支持High Side和Low Side配置

　　SOT23-6 SOP8封装

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