消息称三星电子准备采用常规结构的1e nm DRAM内存

2024-12-30 16:46:32 来源： 同花顺7x24快讯
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　　三星电子准备启动采用常规结构的1e nm制程DRAM，实现先进内存开发多轨化，为未来可能的商业化提供更丰富技术储备。据悉，1e nm DRAM有望于2028年推出。(科创板日报)

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