12月30日，英诺赛科（HK2577）（苏州）科技股份有限公司（下称英诺赛科（HK2577），02577.HK）正式挂牌港股。
英诺赛科（HK2577）成立于2017年，是一家专注于氮化镓芯片（159813）研发与制造的高新技术企业，产品主要包括分立器件（884090）、集成电路（885756）、晶圆、模组等。氮化镓（GaN）作为“第三代半导体（885908）”代表性材料，因其卓越性能备受市场关注，且在多个领域得到广泛应用，发展潜力巨大。
凭借着突出的研发实力，以及长期深耕半导体（881121）市场形成的优势，英诺赛科（HK2577）在细分行业内占据了领先的地位。如今，登陆资本市场的英诺赛科（HK2577）更是迎来了快速发展的黄金（518800）期，投资价值凸显。
2023年市占率第一
据悉，英诺赛科（HK2577）专注于第三代半导体（885908）硅基氮化镓外延及器件研发，拥有全球最大的氮化镓功率半导体（881121）生产基地，并且是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体（881121）产品的公司。
氮化镓作为第三代半导体（885908）材料，已经成为功率半导体（881121）行业传统硅材料的替代和升级材料，解决了硅材料在频率、功率、功耗、热管理和器件尺寸方面的限制，在功率电子领域具有巨大的应用潜力，被视为未来电子产业的重要发展方向。
而相比于传统6英寸晶圆，英诺赛科（HK2577）先进的量产技术使每晶圆的晶粒产出数提升80%，单一器件成本降低30%，为氮化镓产品的广泛应用开辟了新路径。
这一显著优势也使得英诺赛科（HK2577）的产品在市场上极具竞争力。
截至2024年6月30日，公司每月晶圆产能突破12500片，实现了产业规模商业化，晶圆良率超过95%。
根据英诺赛科（HK2577）招股说明书，按收入口径，英诺赛科（HK2577）2023年在全球所有氮化镓功率半导体（881121）公司中排名第一，市场份额为33.7%。如果按折算氮化镓分立器件（884090）出货量计，2023年英诺赛科（HK2577）同样在全球所有氮化镓功率半导体（881121）公司中排名第一，市占率达到42.4%。截至2024年6月30日，公司累计出货量已超过8.5亿颗。
受益于过硬的技术实力，英诺赛科（HK2577）的营业收入快速增长。
2021年—2023年及2024年上半年，英诺赛科（HK2577）实现营业收入分别为0.68亿元、1.36亿元、5.93亿元、3.86亿元。
研发实力超群
英诺赛科（HK2577）在市场竞争中脱颖而出，并且实现市占率第一，离不开公司多年对技术和研发的孜孜追求。
近年来，公司在管理层带领下培育出一批高水平的研发团队，且持续保持较高强度的研发投入。
在研发团队建设方面，截至2024年6月30日，公司汇聚了一支由304名专业人才组成的精英研发团队，其中多名成员是半导体（881121）行业资深人士，在技术及材料创新方面具备深厚的专业知识。
截至同日，公司的研发团队成员当中超过40%拥有硕士或以上学位，平均拥有超过八年的半导体（881121）行业经验，并在公司任职近3年。同时，英诺赛科（HK2577）布局国际研发资源，在欧洲、北美及亚洲建立研发团队。具体而言，欧洲团队主要专注器件研发及可靠性评估，包括开发器件应用平台、进行稳健性表征测试及评估可靠性。北美团队专注产品及驱动芯片（159813）设计，承接高性能、复杂电源芯片（159813）的研发。亚洲团队分为两个专业小组，在韩国的团队与北美团队同样专注驱动芯片（159813）设计；在中国的亚洲团队主要负责规划及开发新技术平台，组建项目团队以实施研发计划，确保按时完成项目。该团队亦制定研发标准，优化研发管理体系，并组织项目评估、启动、进度协调及总结。
研发投入方面，2021年—2023年，公司研发开支分别为6.62亿元、5.81亿元、3.49亿元，分别占经营开支76.1%、68.4%、50.8%。
公司的研发开支持续减少，主要是由于过渡到量产的阶段后，工程测试的开支持续减少。且虽然研发投入有所下滑，但根据弗若斯特沙利文的资料，研发开支的这一趋势与其他处于业务早期阶段的氮化镓功率半导体（881121）公司的表现一致。
截至2024年12月10日，公司在全球已累计获得406项专利，其中包括331项发明专利、75项实用新型专利，另有387项专利申请，涵盖芯片（159813）设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。
值得一提的是，公司本次IPO募资，所得款净额的20%将用于研发及扩大公司的产品组合，以提高氮化镓产品在终端市场的渗透率。
行业发展前景良好
展望未来，随着氮化镓技术的成熟以及下游应用的逐步释放，氮化镓功率半导体（881121）行业迎来前所未有的发展机遇，市场需求不断增长，未来市场空间较为广阔。
根据弗若斯特沙利文的资料，全球氮化镓功率半导体（881121）市场规模经历了惊人的增长，从 2019 年的 1.39 亿元人民币迅速攀升至 2023 年的17.60 亿元人民币，年均复合增长率高达 88.5%。
随着氮化镓在各个应用场景中渗透率的持续提升，预计这一市场规模将在 2028 年突破 500 亿元人民币大关，从 2024 年至 2028 年的复合年增长率将达到 98.5%。预期到 2028 年，氮化镓功率半导体（881121）占全球功率半导体（881121）市场的份额将提升至 10.1%。
面对日益增长的市场需求，除了投入研发，英诺赛科（HK2577）还计划将IPO募资用于进一步扩充产能。
根据其募资计划，公司将把60%的所得款净额用于扩大8英寸氮化镓晶圆的产能、购买及升级生产设备及机器及招聘生产人员，目标是在未来五年内将月产能从截至2024年6月30日的1.25万片提升至7万片。
这一扩产计划，不仅体现了英诺赛科（HK2577）对市场前景的坚定信心，也为其在未来氮化镓功率半导体（881121）市场的竞争中占据更加有利的位置奠定了坚实基础。
此外，公司将10%的所得款净额用于扩大氮化镓产品的全球分销网络，其余10%则用于营运资金及其他一般企业用途。
英诺赛科（HK2577）作为行业领军企业，在产能逐步释放和市场需求不断增长的情况下，必将乘着东风掀开发展新篇章。
