功率半导体行业观察：IGBT回暖信号显现；碳化硅加速渗透新能源汽车
全球功率半导体行业正经历结构性调整。随着新能源汽车、智能电网等下游需求持续增长，IGBT供需逐步改善，碳化硅(SiC)技术加速上车，行业进入新一轮增长周期。
IGBT供需结构改善，价格企稳带动行业回暖
供需平衡推动价格触底
2024年第一季度，IGBT价格同比下滑幅度接近30%，但自第二季度起，出货量回归正向增长，行业性衰退接近尾声。当前价格已趋于稳定，供需结构逐步平衡，市场进入相对底部区间。随着下游需求回暖，IGBT价格或将在未来进入回升通道。
中国厂商自给率持续提升
尽管中国IGBT自给率仍处于较低水平，但国内厂商通过技术突破和产能扩张，逐步缩小与国际领先企业的差距。凭借性价比优势，中国IGBT在工业控制、家电等中低端市场加速替代进口产品，未来自给率有望进一步提升。
中低端车型成新增量市场
2025年，新能源汽车销量和渗透率持续攀升，竞争加剧推动中低端车型价格下沉，叠加智能驾驶技术向该市场渗透，IGBT在车载领域的出货需求将进一步扩大。这一趋势为国内厂商提供了切入汽车供应链的重要机遇。
碳化硅产能释放加速，成本下降驱动规模化应用
全球产能扩张引发价格下行
2024年碳化硅行业进入供过于求阶段，中国产能较2022年增长3倍，海外大厂Wolfspeed、Rohm等计划于2025年实现8英寸衬底量产。产能集中释放叠加工艺优化，推动碳化硅价格持续下滑。预计到2028年，中国碳化硅价格较全球均价低900-1000元，成本优势显著。
8英寸衬底量产推动降本
目前全球碳化硅衬底仍以6英寸为主，但士兰微（600460）、三安光电（600703）等中国头部企业已启动8英寸产线布局。随着衬底尺寸升级和良率提升，碳化硅模组成本持续下降，预计2026年其与IGBT模组的价差将从2-3倍收窄至1.5倍以下，规模化应用门槛大幅降低。
800V平台加速碳化硅上车
新能源汽车高端化趋势下，30万元以上纯电车型占比提升，400V向800V高压平台升级成为主流。碳化硅凭借耐高压、低损耗等特性，在中高端车型电驱系统中的渗透率快速提高。未来，随着成本下降和技术成熟，碳化硅有望进一步向中端车型渗透，打开更广阔市场空间。
功率半导体行业的变革正深刻影响全球产业链格局。IGBT的企稳回升与碳化硅的规模化突破，不仅为新能源汽车、能源基础设施等领域提供技术支撑，也为中国半导体产业参与全球竞争提供了关键契机。
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