道氏技术：公司最新一代硅碳负极直接将单壁包覆在硅碳颗粒表面，进一步实现性能提升

来源： 证券日报网
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　　证券日报网讯道氏技术（300409）9月12日发布公告，在公司回答调研者提问时表示，公司最新一代硅碳负极直接将单壁包覆在硅碳颗粒表面，将进一步实现性能提升。该产品具有两大优势：一是包覆在硅碳颗粒表面的单壁碳纳米管能将硅碳颗粒与其周围的石墨颗粒形成稳定的导电网络，不需要额外添加单壁碳纳米管来保证硅碳颗粒的电子传导，降低硅碳的应用成本，助力产品在动力等领域的应用；另一方面，单壁碳纳米管包覆层可有效约束硅基材料充放电过程中的体积膨胀，提升电池的循环性能。目前已完成小样制备，正在加速研发与产业化进度。

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