招商证券发布研报称，全球存储价格从25H1复苏上涨以来，25Q3-Q4现货/合约价格加速上涨，近期逐步发现26Q1各品类存储价格环比涨幅超预期，预计2026年全年全球存储供给整体维持偏紧状态，AI需求增长持续高于产能扩张速度，其他消费类存储和利基型存储受到产能挤压和下游恐慌备货等因素，价格涨幅也远超常规水平，今年国内存储产业链多环节都将受益于缺货涨价浪潮，核心建议关注存储原厂+存储模组/芯片公司+存储封测/代工等环节。

　　招商证券主要观点如下：

　　AI存储引发更多需求增量，多级存储体系优化补充急剧增多的KV缓存空间

　　英伟达在CES 2026主题演讲上发布最新Inference Context Memory StoragePlatform (推理上下文存储平台)，利用BlueField-4 DPU 构建在Pod 级别运行的专用上下文记忆层，在计算节点层面，KV 分层涵盖GPU HBM、主机内存、本地SSD、ICMS 和网络存储，ICMS 填补了G1-G3 和G4 之间缺失的KV 缓存容量，后续若按每8 个计算rack 标配一个存储rack，每个GPU将新增16TB NAND 空间。

　　DeepSeek 最新论文介绍Engram 模块，将最高频访问的知识嵌入向量放在速度最快的 GPU 显存(HBM)中，中频访问的放在容量较大的主机内存(DRAM)中，而海量的、低频出现的长尾知识则可以存储在廉价的 NVMe SSD 硬盘上，这种分层设计使得模型可以在不牺牲速度的前提下，拥有海量的“记忆容量”，利用更多DRAM/SSD 降低HBM计算压力。

　　供给端DRAM 产能增长或弱于需求增幅，NAND 供应更集中于企业级产品

　　DIGITIMES 称2026 年三星和海力士DRAM 产量有望同比+5%和+8%，其中三星年产有望达到793 万片，海力士年产有望达到648 万片，美光预计2026年DRAM 产量和2025 年的360 万片接近，但三家大厂2026 年产能增幅或仍和市场需求存在较大差距，预计客户端DRAM 需求满足率仅60%，其中服务器DRAM 甚至不到50%。

　　NAND 方面，Omdia 预计2026 年三星年产能或从490 万片下调至468 万片，海力士或从190 万片下调至170 万片，若三星海力士缩减NAND 产量，可能还是因为DRAM 盈利确定下最高，NAND 相关投资排序靠后，且AI 数据中心对大容量SSD 需求持续扩大，在转为QLC 的过程中，势必会影响产量，服务器和企业级SSD比重提升或影响消费级NAND供应量比例。

　　26Q1 存储合约/现货价格涨幅超预期，涨价逐步蔓延至代工和封测等环节

　　TrendForce 预计常规DRAM 26Q1 价格环比增长55%-60%，主要系26Q1原厂大规模转移产能至服务器和HBM 应用，带来其他市场供应吃紧。NAND预计环比增长33%-38%，原厂管控整体产能，且同样受到服务器的排挤效应。海外NAND大厂闪迪此前曾向多家客户提出100%现金预付的长期锁量方案，最长或涉及3 年合约，同时闪迪26Q1 合约价格最高或有近翻倍增长，高于市场30%-40%的预期。

　　存储产业链方面，以台系为例，随着美光等大客户的需求持续增长，委外订单比重持续增加，力成、南茂等近期稼动率持续提升，叠加成本增加等因素传2026 年陆续给客户涨价，从国内存储代工和封测等渠道了解到，都普遍存在产能吃紧和价格上调的现象。

　　全球存储大厂逐步发布亮眼业绩预告，关注1 月末2 月初的密集财报披露

　　三星发布2025Q4 业绩预告，预计营业收入约93 万亿韩元，同比+23%/环比+8%；预计营业利润约20 万亿韩元，同比208%/环比+64%。

　　佰维存储发布2025 年度业绩预告，25Q4 预计营收34-54 亿元，中值同比+165%/环比+86.8%；归母净利润8.2-9.7 亿元，中值环比+249.6%；扣非7.8-9.2 亿元，中值环比+299.1%。

　　南亚科25Q4 营收301 亿新台币创历史新高，环比+60%，税后净利润111 亿新台币，环比+608%，毛利率49%，环比+30.5pcts，净利率36.8%。25 全年营收666 亿新台币，同比+95%。市场预期南亚科出货价格26Q1 环比涨20%以上，未来几个季度仍可能微幅上涨。

　　接下来的1 月末和2 月初是全球存储大厂密集的财报季，海力士、三星、闪迪、西部数据等公司都将披露最新业绩和展望，密集利好整体即将到来。

　　投资建议

　　1 月份开始26Q1 存储芯片涨价幅度超预期带动了上半月的行情，下半月将有众多国内存储公司业绩预告和海外存储厂季报释放，此外，观察到存储封测涨价逐步蔓延，后续可以进一步观察和存储紧密关系的配套芯片是不是会同步出现涨价现象，如有此类情况发生，在第一波封测的蔓延过后，后续存储大beta 有望蔓延至更广泛的领域，当下还是核心推荐存储原厂+存储模组/芯片公司+存储封测/代工，未来关注存储主控芯片和接口芯片等方向的潜在机遇。

　　标的方面

　　1)海外存储：闪迪(SNDK.US)、美光(MU.US)、SK 海力士、西部数据(WDC.US)、凯侠、三星、希捷(STX.US)等；2)模组：江波龙（301308）(301308.SZ)、德明利（001309）(001309.SZ)、佰维存储(688525.SH)、朗科科技（300042）(300042.SZ)等；3)利基存储：兆易创新（603986）(603986.SH)、普冉股份(688766.SH)、聚辰股份(688123.SH)、北京君正（300223）(300223.SZ)、东芯股份(688110.SH)、恒烁股份(688416.SH)等。

　　4)代工和封测：中芯国际(00981)、华虹公司(01347)、长电科技（600584）(600584.SH)、汇成股份(688403.SH)、通富微电（002156）(002156.SZ)、华天科技（002185）(002185.SZ)、深科技（000021）(000021.SZ)等；5)设备：北方华创（002371）(002371.SZ)、中微公司(688012.SH)、拓荆科技(688072.SH)、华海清科(688120.SH)、盛美上海(688082.SH)、微导纳米(688147.SH)、芯源微(688037.SH)、精测电子（300567）(300567.SZ)、中科飞测(688361.SH)、矽电股份（301629）(301629.SZ)、强一股份(688809.SH)等；6)配套芯片：澜起科技(688008.SH)、联芸科技(688099.SH)等。

　　风险提示

　　下游需求不及预期，行业潜在的价格趋势变动风险，宏观环境风险，供应链不稳定的风险，行业竞争加剧风险等。