晶升股份首台自研CZT长晶炉顺利出货 硬核技术筑牢国产辐射探测供应链安全
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首台CZT长晶炉顺利出货
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首台自研CZT长晶炉顺利出货
2026年春节前期，晶升股份自主研发的首台CZT(碲锌镉)晶体生长设备样机顺利出货，这一成果不仅是公司在化合物半导体装备领域的重要突破，更以自主研发实力为我国高端辐射探测领域的供应链自主可控注入新动能。
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侧重技术突破.精准控制
首台自研CZT长晶炉发货
长期以来，全球CZT晶体生长核心装备市场被美、德、日等少数企业垄断，国内市场高度依赖进口，既推高下游产业生产成本，也制约了我国高端辐射探测领域的自主发展。
此次出货的CZT晶体生长设备，精准适配CZT晶体生长核心工艺需求，依托公司多年在高温高真空晶体生长设备领域的技术积淀，在多项关键技术上实现突破：
严苛工况适应能力：设备可稳定承受数MPa高压，在严苛工况下能完成坩埚高精度升降、旋转等动作，全程无泄漏且运行稳定，突破了高压工况下的设备运行瓶颈；
精准温控技术：搭载多段加热器，可实现800-1100℃精准控温，精准调控温度梯度，搭配可视窗口观测功能，满足工艺调试与实时监测需求，助力提升晶体生长品质；
多重安全保障：配备完善的程序连锁保护措施，全方位保障设备运行安全，降低操作风险，为CZT晶体规模化、标准化生产奠定基础。
值得注意的是，该技术平台具备强大的拓展性与兼容性。其工艺腔体设计与热场控制系统可兼容磷化铟(InP)单晶的生长条件，可快速应用于高频电子器件衬底的制备。此外，该平台还具备向砷化镓(GaAs)、碲化镉(CdTe)等化合物半导体材料拓展的潜力。
完善半导体高端装备布局
CZT晶体作为重要的II-VI族化合物半导体材料，拥有优异的室温核辐射探测性能、高电阻率及良好的能量分辨率，是高端辐射探测的核心基石，广泛应用于核医学成像、安检设备、空间探测、工业无损检测及国防安全等多个战略领域。
CZT长晶炉的研制与顺利出货，是晶升股份依托多年技术积淀，拓展化合物半导体装备产品序列的关键成果。此次突破进一步完善了我国半导体高端装备产业布局，为半导体产业高质量发展提供坚实装备支撑。
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助力产业弯道超车
当前全球高灵敏度、便携式辐射探测设备需求持续攀升，我国先进核技术、航空航天等战略领域也在加速布局，CZT行业迎来发展黄金周期，晶升股份的技术突破，将助力我国在高端辐射探测领域实现自主可控，推动相关产业实现弯道超车。
企业愿景
智创晶界，芯启未来—以智能装备助力半导体材料生态，驱动产业跃升。
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