民德电子（300656）3月4日发布投资者关系活动记录表，公司于2026年3月3日接受5家机构调研，机构类型为其他、基金公司、证券公司（399975）。 投资者关系活动主要内容介绍：

问：公司2026年定增项目具体情况，以及时间安排？

答：（1）公司2026年向特定对象发行股票募集资金总额不超过人民币10亿元，其中7亿元拟投入特色高压功率半导体（881121）器件及功率集成电路晶圆代工项目，3亿元用于补充流动资金。特色高压功率半导体（881121）器件及功率集成电路晶圆代工项目计划使用广芯微现有厂房及附属设施并进行改造，拟通过购置生产设备、检测仪器及软件系统等，新建6英寸功率半导体（881121）晶圆代工产线以提升晶圆代工产能。项目建成达产后，预计将新增适用于高压、大功率领域的IGBT、特高压（885425）VDMOS和700V高压BCD等产品代工产能6万片/月。（2）公司于2026年2月26日召开董事会审议通过定增预案，后续将提交股东会审议本次发行方案及相关议案，股东会审议通过及申报文件齐备后将正式向深交所提交申请，深交所审核通过并获得中国证监会同意注册批复后方可实施。在获得深交所审核通过及中国证监会注册后，公司将向深交所和登记结算公司申请办理股票发行和上市事宜，完成本次发行全部批准程序。

问：请介绍下晶圆代工厂广芯微电子产能爬坡情况，以及未来产能规划？

答：（1）广芯微电子聚焦特色高压功率半导体（881121）器件及功率集成电路晶圆代工业务，一期规划产能为6英寸硅基功率器件月产10万片，广芯微电子自2023年底通线量产以来，产出逐步提升至2024年底的6,000片/月、2025年底的4万片/月，已成功实现MOS场效应二极管（电压覆盖45-200V）全系列产品及VDMOS（电压覆盖60-2,000V）等多款产品的量产；高压IGBT和700V高压BCD等产品亦已顺利进入客户流片与导入阶段。（2）受市场需求及产品结构调整影响，公司于近期启动定增工作，拟募集7亿元用于广芯微电子项目扩产，扩充产能聚焦高压、大功率应用场景，投产IGBT、特高压（885425）VDMOS及700V高压BCD等产品；在2026年定增募集资金到位之后，公司将尽快实现一期项目满产。募资资金到位之前，公司会根据募集资金投资项目进度的实际情况以自筹资金先行投入，并在募集资金到位后按照相关法规规定的程序予以置换。

问：广芯微电子投建产线为6英寸，是否有市场竞争力？

答：（1）功率半导体（881121）行业普遍具有“小批量、多品种、定制化”的典型特征，相较于大尺寸晶圆产线，6英寸产线在应对多样化、快速迭代的产品需求时，具备天然的生产柔性与经济性优势，能够以更低的生产成本、更快的研发转化速度，响应客户在中高压、特种应用场景下的定制化需求，契合功率半导体（881121）代工市场从“通用产能”向“场景定制产能”转型的发展趋势；在性能与可靠性层面，6英寸晶圆因尺寸更小，在同等厚度条件下具备更优的结构强度与稳定性，由热膨胀系数失配引发的翘曲现象更为轻微，特别是在高压/特高压（885425）、大功率半导体（881121）产品方面，其性能保障和可靠性更高、适配性更强。（2）AI产业浪潮正深刻重塑全球半导体（881121）产能布局，伴随AI算力芯片的需求激增，台积电（TSM）、三星等国际大厂纷纷将产能资源向利润更高、需求更旺的先进制程倾斜，主动收缩成熟制程及6、8英寸产线产能；功率半导体（881121）作为AI数据中心、电力（562350）系统建设、清洁能源（850101）及工业控制等核心领域的关键器件，市场对高压、高效、高可靠功率器件的需求持续升温。因此，台积电（TSM）、三星等国际大厂的产能调整进一步加剧了全球成熟制程供给缺口，功率半导体（881121）晶圆代工需求持续扩大，也为国内成熟制程晶圆厂带来一轮难得的客户导入机会与盈利弹性。（3）广芯微电子的设备配置在国内6英寸功率半导体（881121）晶圆厂中具备较强的制造水平，已拥有深沟槽刻蚀工艺、平坦浓硼阱工艺及缺陷控制技术等多项核心技术工艺，并拥有应用于700V高压BCD产品的智能功率集成电路的工艺平台，工艺平台能力属业内较高端的平台，产品线丰富，尤其在高压、特高压（885425）领域具有一定的优势；同时，广芯微和芯微泰克可以为客户提供正面+背道（超薄、背面加工、重金属掺杂等）一体化的特色工艺全套解决方案，可覆盖大多数功率半导体（881121）器件及功率集成电路产品，并利用自身丰富的经验,赋能设计公司,减少开发周期（883436）;

调研参与机构详情如下：

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