中国上市公司网讯3月9日，上交所官网披露了上海芯导电子科技股份有限公司(证券代码：688230，证券简称：芯导科技（688230）)发行可转换公司债券及支付现金购买资产并募集配套资金报告书(申报稿)，公司并购重组（885739）材料被正式受理。

据悉，芯导科技（688230）本次拟向盛锋、李晖、黄松、王青松、瞬雷优才发行可转换公司债券及支付现金形式购买吉瞬科技100%股权、瞬雷科技17.15%的股权，从而直接及间接持有瞬雷科技100%股权，实现对瞬雷科技的100%控制，并募集配套资金不超过5,000.00万元。

公开资料显示，芯导科技（688230）所处行业属于集成电路（885756）设计行业，目前，公司产品主要包括功率器件和功率IC,功率器件产品主要为TVS(包括ESD保护器件)、MOSFET、肖特基等;功率IC产品主要为电源管理IC。公司产品具有高性能、低损耗、低漏电、小型化的特点，可应用于消费（883434）类电子、网络通讯、安防（885423）、工业、汽车、储能（885921）等领域。公司在继续深耕消费（883434）类电子、网络通讯、安防（885423）、工业等领域的同时，也在积极将产品向汽车电子（885545）、光伏储能（885921）等领域拓展。

公司是工业和信息化部认定的专精特新（885929）“小巨人”企业、国家高新技术企业、上海市规划布局内重点集成电路（885756）设计企业、上海市科技小巨人企业、上海市“专精特新（885929）”企业、上海市集成电路（885756）行业协会第五届理事会理事单位。

公司自主研发的一种降低芯片反向漏电流的技术、深槽隔离及穿通型NPN结构技术、MOSFET的沟槽优化技术、沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改进技术、可连续调节的占空比环路控制技术、一种复合DC-DC电路、一种负载识别电路等核心技术显著提升了公司产品的技术水平及市场竞争力，具有国内领先水平。一种GaN HEMT器件制备技术，优化了终端结构，降低工艺开发过程引入的漏电风险，同时优化了终端结构，使得GaN HEMT产品具有芯片良率高、可靠性良好的特性。公司已经正式发布具有自主专利技术的GaN HEMT产品，并在多个客户端进行验证，是第三代半导体（885908）产品较早开发成功的国内企业。IGBT通用沟槽栅技术优化了载流子浓度和传输路径，减少了导通损耗和开关损耗，提升了产品使用效率;IGBT精细沟槽栅技术实现了芯片的通流能力和闩锁能力的提升，同时进一步降低了正向导通压降及损耗，芯片面积和性能得到了折中，适合在新能源（850101）系统上应用。