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概念细分|燕东微(688172)新归类于第三代半导体-碳化硅(SiC)细分方向
2026-05-14 18:00:14
来源:同花顺iNews
作者:概念通知
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燕东微--
第三代半导体--
逆变器--
半导体--
充电桩--
智能电网--

【概念细分】燕东微(688172)(688172)新归类于第三代半导体(885908)-碳化硅(SiC)细分方向。

第三代半导体(885908)-碳化硅(SiC)细分方向指的是:碳化硅(SiC)是第三代半导体(885908)的核心材料之一,具有高击穿电场、高热导率、高温稳定性好、适合高频高压场景等特点。其产业链主要包括碳化硅衬底、外延片、芯片/器件制造、功率模块及封装测试等环节,下游广泛应用于新能源汽车(885431)、光伏逆变器(884304)充电桩(885461)、工业电源、轨道交通、智能电网(885311)等领域。随着新能源汽车(885431)800V高压平台、光伏储能(885921)和高效电力电子需求提升,SiC器件在功率半导体(881121)中的应用渗透率持续提升。

根据燕东微(688172)披露的业务情况,其符合第三代半导体(885908)-碳化硅(SiC)的归类标准,原因如下:

2023年4月17日互动易回复:公司已建成月产能 1000 片的6 英寸SiC 晶圆生产线,已完成SiC SBD 产品工艺平台开发并开始转入小批量试产,正在开发SiC MOSFET工艺平台。

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