AI大模型的快速发展，正在推动算力基础设施加速升级，XPU功耗也随之从数百瓦跃升至数千瓦。在这一过程中，供电系统不再只是幕后支撑，尤其是最靠近XPU的三次侧供电，正面临瞬态响应更快、电流承载更大、热管理更严苛、运维要求更复杂等多重挑战，成为决定整机性能释放与稳定运行的关键环节。
芯朋微提供XPU供电完整产品矩阵
支撑AI算力平台供电架构升级
围绕AI数据中心和高性能加速平台需求，芯朋微（688508）构建了由 PN68XX 多相控制器、PN786X Smart Power Stage、PN788X/PN7893 E-Fuse、PN685X POL 组成的全栈产品体系。其核心竞争力不在单一器件参数，而在于以“控制器+功率级+保护+周边供电”的协同方式，形成面向 XPU 三次侧供电的系统级闭环。从核心 Vcore 到周边电源轨，从性能释放到安全防护，芯朋微（688508）正以完整产品矩阵，支撑AI算力平台供电架构升级。
从800V HVDC到1V Vcore AI 数据中心高压直流三级电源系统方案
芯朋微实物DEMO：XPU三次侧供电
01
大脑中枢，瞄准高动态AI负载
作为电源系统的“大脑”，PN68XX 系列多相控制器（如 PN6835、PN6844、PN6858 等）以5~16相全覆盖、双路/三路输出及PMBus、AVSBus、SVI2/3、SVID、PVID等全主流数字协议兼容能力，构建起“全协议 + 全相数”的完整产品矩阵；依托COT + TLVR + 非线性控制组成的核心“黄金三角”，产品不仅能够全面覆盖 AI 算力、电源高性能供电等关键场景，还可实现对主流竞品的 Pin-to-Pin 无缝替代；与此同时，我们提供 JDM 深度定制服务，支持私有协议扩展与架构级协同研发，以更高适配度、更快导入效率和更强平台延展性，助力在 AI 算力时代抢占性能与上市先机。
全协议、全相数、可定制的多相控制器平台——PN68XX
PN68XX | 封装/订购信息
VRM多相控制器
PN68XX典型特征：
多相可扩展电源
■灵活的相位数量与顺序分配:(16+0)到(8+8)
■双输出电压控制回路
支持多协议PMBus/I2C和AVSBus、SVI2、SVI3、SVID、PVID
兼容多种类型的DrMOS
内部NVM可用于数据自由配置
支持引脚多功能配置
支持自动环路补偿
最少外部元件
支持可编程非线性控制以减小过冲
支持灵活的双轨相数配置
支持自动相数调节提升总体效率
支持多相自动均流
支持多相动态与静态均温
支持可编程负载线调节
支持异常记录，错误情况保存在NVM中
支持输入和输出电压、电流、功率和温度检测
支持UVLO、OVP、UVP、OCP、UCP、OTP、RVP等保护，保护动作可选择正常工作、锁存、重试、打嗝四种模式
支持读写保护功能提高安全性
1.1
支持JDM联合开发模式
加快导入并提升平台延展性
支持 JDM 联合开发，基于 Any-to-Any IO 软映射与多级定制能力，突破引脚与协议限制，缩短交付周期（883436），帮助构建技术壁垒，推动电源芯片从“功能器件”升级为“智能节点”。
LV1-IO 软映射定制
■ 解除束缚：灵活 I/O 允许 DrMOS 不再迁就控制器引脚顺序。
■ 最优布局：DrMOS 可以放置在离CPU，最近、热分布最均匀的位置。
■ 性能提升：最短的功率回路大幅降低了PDN阻抗和寄生电感，从而提升了瞬态响应并减小了电压跌落 (Vdroop)。
LV2-全 IO 与功能定制
客户自定义所有 IO 引脚位置，以及专属功能扩展，根据客户主板的最优走线需求,建立Flexible芯片料号体系
LV3-客制命令集定制
基于第三代带核架构 的终极定制服务，将极大压缩定制服务的交付时间，更完备的定制扩展服务，支持用户植入私有命令集，甚至集成稀有/私有通信协议
1.2
依托 COT + TLVR + 非线性控制，
满足 AI 算力等高动态供电场景
融合 COT 的 nS 级响应、TLVR 的低等效电感与非线性控制的瞬态加速能力，并结合高精度 DPLL 锁频锁相，在突破传统带宽限制的同时，实现典型工况下 1200V/μs 的极致动态响应，轻松应对 AI 芯片超高 di/dt 负载挑战。
快：COT 架构天然具备 nS 级瞬态响应，无需复杂环路补偿，可快速跟随大电流负载跃迁
强：TLVR + 非线性控制有效降低等效电感、加速瞬态调节，突破传统方案带宽瓶颈，提升高 di/dt 场景供电能力
Vdroop测试条件:108~430A,
1200A/μs,Vo=1.8V,DC_LL=0.5mΩ
PN6845,Vdroop,
pkpk=181.9mV M29XX,Vdroop,
pkpk=184.6mV Vdroop测试条件:60~430A,
1200A/μs,Vo=1.8V,DC_LL=0.5mΩ
PN6845,Vovershoot，pkpk=207.7mV M29XX ,Vovershoot，pkpk=211.8mV
稳：高精度 DPLL 以 pS 级动态微调 Ton，锁定 PWM 频率与相位，显著抑制传统 COT 的频率抖动、并相纹波与负载偏移，同时将 Vo 输出精度控制在 5mV 以内
测试条件：12V-1V
600kHz,8相,0A
测试条件：12V-1V
600kHz,8相,160A
1.3
从“电流平衡”走向“热平衡”
通过温度闭环动态调配各相出力，让冷相多分担、热相少承载，消除局部热点，显著提升系统可靠性与 MTBF。
均温前
均温后
破解传统局限
传统控制只追求 Current Balance，忽视 PCB 布局与散热差异，易导致局部相位过热失效
温度闭环调节
基于 SPS Sensor 实时监测各相温度，动态调整电流分配权重，实现热平衡控制
提升系统可靠性
即使电流不再绝对均衡，也能有效抑制热点，避免弱相位率先失效，延长系统寿命
02
SGT 独特器件结构及工艺创新
(DrMOS/E-fuse/POL)领先性能
在 XPU 核心供电场景中，芯朋微（688508） 90A DrMOS 和 0.7mΩ 超低导阻 E-Fuse 具有领先性能，不仅源于 COT 等先进控制架构，更得益于在 SGT/Trench 底层功率器件结构和工艺上的深厚积累；其中，SGT 技术通过降低开关损耗、压低导通电阻并提升抗雪崩与热稳定性，为 DrMOS 的高频高效供电能力和 E-Fuse 的低损耗高可靠保护能力提供了关键支撑，成为芯朋微（688508）突破 XPU 高效率、高功率密度与高可靠性供电需求的核心基础。
真正扛住XPU末端大电流的核心单元
Smart Power Stage——PN786X
在末端供电方面，芯朋微（688508）推出 PN786X 系列 DrMOS/Smart Power Stage 产品，面向 XPU 大电流 VRM 等高密度多相应用。其中，PN7864 支持70A，PN7865/PN7866 支持90A，输入电压范围均为 5~16V，并集成电流与温度感测功能，可为控制器提供更准确的反馈信息，帮助平台实现更好的均流、均温与闭环遥测，进一步提升供电效率、热表现与系统稳定性。
PN7864/5/6 | 封装/订购信息
PN7865 典型特征：
稳态电流输出能力达到90A VIN电压输入范围: 5V ~ 16V
支持5V以及3.3VPWM匹配应用，支持三态指令
下管Rdson=0.75mΩ/上管Rdson=2mΩ
高精度电流检测以及电流信号输出（5uA/A）
高精度温度检测以及温度信号输出（8mV/°C）
最高支持2MHz开关频率
全方位的智能保护
过温保护(OTP)
过流保护(OCP)
上管以及SW点短路保护
VCC/VDRV欠压锁死(UVLO)
封装：QFN-39 (5x6)
PN7865 核心优势：
低内阻低反向恢复功率MOSFET MCM封装: 良好的散热性能
电流镜 SenseFET: Imon精度≤3%
与外商匹敌的效率曲线 （xxxx390）
重载下效率甚至更高
PN7865:99.3℃
xxxx390 :104.4℃
三次侧“先保护，再上电”
E-Fuse——PN788X
在输入端保护方面，芯朋微（688508）推出 E-Fuse 产品系列，覆盖服务器与加速卡的 12V 及更高母线分配场景。其中，PN7885 支持 5~18V、60A，Rds_on 低至 0.7mΩ；PN7882 支持 5~18V、20A，Rds_on 为 1.6mΩ；PN7893 面向 9~80V 应用，支持 30A，Rds_on 为 1.7mΩ，并支持 Latch / Hiccup 模式及 PMBus，可为热插拔、浪涌、短路与异常瞬态提供更完善的前端保护。
PN7885 | 封装/订购信息
PN7885 典型特征：
MCM封装，集成功率MOSFET以及控制器
集成0.76mΩ SGT MOSFET MOSFET工艺优化，超宽SOA
超过60A的DC电流能力
5V~18V输入
智能限流保护/过温保护
支持并联
PN7885A1(Latch),PN7885A2 (Hiccup)
封装：TLGA-32 (5x5)
PN7885 核心优势：
1%电流汇报精度
超宽SOA低内阻 FET
低热阻MCM封装
精准补给，让周边供电更高效、更标准
POL(Point of Load)——PN685X
在周边供电方面，芯朋微（688508）提供 PN6850、PN6851 等 POL 产品系列，面向 XPU 平台 DDR、Chipset 及其他低压轨供电场景。其中，PN6850/PN6851 均支持 40A、4.5~17V 输入，采用 QFNCC-5×6 封装，PN6851 进一步支持 PMBus，可为多路本地降压提供更紧凑、高效且易于标准化管理的解决方案。
PN6850 | 封装/订购信息
PN6850 典型特征：
40A最大输出电流
集成自主研发SBR的SGT FET，高可靠性，高效率
下管Rdson=0.8mΩ/上管Rdson=2.3mΩ
COT架构，拥有快速的动态反应速度
支持DCM，实现全负载下效率最优解
支持过流保护，过温保护
支持Pre-Bias启动
封装：QFN-36 (6x5)
PN6850 核心优势：
低内阻低反向恢复的功率MOSFET MCM封装：绝佳的散热性能
芯朋微提供完备的工具链支持
芯朋微（688508）具备完备的工具链支持软件，自动化生成参数配置界面告别繁琐寄存器。
不止是功率器件，
更是面向AI平台的国产供电方案
芯朋微（688508）的优势不只是做功率器件，而是把自研功率器件与控制 IC 深度协同设计：在 PN786X DrMOS 中，将自研驱动 IC 与自研 SGT 高低边 MOSFET 共同封装，凭借对器件寄生参数的精准掌握，实现更优死区时间控制，降低开关损耗；同时集成高精度电流与温度采样能力，为智能均流和热均衡提供基础。
面向 XPU“超大电流、极端瞬态、数字化运维”的供电需求，芯朋微（688508）进一步以 PN68XX 多相控制器、PN786X Smart Power Stage、PN788x/PN7893 E-Fuse、PN685x POL 形成全栈组合，提供一条可规模化落地的国产化供电方案。
