5月27日，环旭电子（601231）(601231.SH)宣布，其于新世代功率解决方案领域所开发的先进功率半导体（881121）封装技术取得重大突破。环旭电子（601231）成功将碳化硅(SiC)晶粒预埋于多层ABF基板之中，并创新采用单面铜裸露(SSC)模块封装技术，使得业界标准功率封装体得以整合陶瓷绝缘基板与无线键合工艺。此创新设计为内绝缘功率分立器件（884090）带来重大的技术突破，封装本体即具备电气绝缘能力，并同时展现低杂散电感与极低的导通阻抗的优势。环旭电子（601231）将于2026年6月9日至11日参加在德国纽伦堡举办的PCIM Europe2026，并展示其最新芯片预埋封装技术、先进功率模块及系统整合解决方案。