短短数周内，全球存储芯片（886042）“三巨头”相继完成市值突破1万亿美元的历史性壮举，全球首只纯内存芯片主题ETF上市以来涨幅近120%。当AI算力爆发从根本上重塑存储市场格局，供需缺口预计延续至2027年乃至更久，存储行业正从“周期（883436）波动”向“跨周期（883436）成长”切换。产业链中有哪些投资机遇？请看机构最新研判。

三大巨头迎来“市值狂欢”，同登万亿美元巅峰。5月6日，三星电子市值率先突破1万亿美元，成为继台积电（TSM）之后第二家市值超万亿的亚洲科技企业。5月27日，SK海力士股价盘中飙升超11%，总市值突破1万亿美元；美光科技（MU）在瑞银（UBS）“史诗级”上调目标价（从535美元至1625美元）刺激下，单日暴涨19%，市值首次突破万亿美元。

西部数据（WDC）、闪迪（SNDK）、希捷科技（STX）同步大涨，全球首只纯内存芯片主题ETF——Roundhill Memory ETF上市仅27个交易日规模突破65亿美元，涨幅近120%。市场用“真金白银”确认了存储芯片（886042）在AI时代的核心地位。

整体来看，底层逻辑显现、商业模式质变、国内扩产提速，共同构成存储板块景气持续上行的核心驱动力。

AI挤压效应导致供需结构性错配。机构观点表示，AI算力爆发致使HBM每比特消耗超3倍晶圆用量，严重挤压通用DRAM产能。DRAM与NAND供需缺口预计分别延续至2028年第二季度与2027年第四季度。美光科技（MU）HBM4已专为英伟达（NVDA）Vera Rubin平台率先量产，2026年HBM产能全面售罄。原厂持续将产能向AI服务器倾斜，虽然部分消费（883434）类需求面临下修，但供给受产能分配制约，价格有望延续上行。TrendForce预计当前仍处上行周期（883436）中段，2027年上半年之前有效产能增量有限，各品类合约价涨幅仍有上修空间。

长协锁定利润，周期（883436）属性弱化。存储原厂正通过签订3-5年超长期协议（LTA）锁定利润，当前长约已覆盖行业20%-30%的DDR及60%-70%的服务器DDR5出货量。原厂资本开支风险降低，盈利可预测性提升，周期（883436）振幅显著收窄。

摩根士丹利（MS）表示，存储板块交易逻辑正从涨价或跌价预期的景气度博弈，转向基于盈利确定性的重新定价，估值从周期（883436）峰值估值切换为具备长约支撑和现金流可见度的优质AI基础设施资产溢价。海外龙头至2029年EPS预计持续超100美元，市场定价中枢从8倍跃升至15倍动态市盈率，这一估值范式切换有望向国内原厂及设备链扩散。

国内存储扩产加速，上游设备材料迎机遇。长江存储IPO募资后扩产节奏有望进一步加速，直接拉动国内存储产业链景气上行：设备端，国内存储原厂扩产加速带动资本开支上行，先进逻辑和存储产线扩产提速，国产化率持续提升；材料端，随着堆叠层数提升，材料用量不断增加，国内材料产品工艺能力持续提升；零部件端，库存低位叠加设备订单拉动，国产零部件自主可控迎来契机。

综合机构观点，建议关注以下核心方向：

一是海外存储龙头：美光科技、SK海力士、三星电子、闪迪；

二是国内存储原厂：长鑫科技、长江存储；

三是存储设备：北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科等；

四是存储材料：江丰电子、神工股份、艾森股份、鼎龙股份；

风险提示：AI资本开支不及预期；技术发展不及预期；宏观环境波动；地缘政治风险；供应链风险。以上内容综合自东吴证券（601555）、国泰海通（HK2611）、招商证券（HK6099）、中信建投（601066）、摩根士丹利（MS）等近期已公开的证券研究报告，不构成任何投资建议，敬请投资者注意投资风险。