6月12日，2026第八届中国数字电源关键元器件应用创新峰会（华南站）在深圳举行。大会以“核心智变·能效跃迁”为主题，聚焦数字电源领域前沿技术发展趋势，围绕光储充、800V超充与第三代半导体（885908）、AI服务器电源等热点方向展开深入交流。
作为大会同期举办的重要论坛之一，第十八届光储充关键元器件技术创新研讨会汇聚了来自新能源（850101）、电力电子及半导体（881121）产业链的专家学者和企业代表，共同探讨光储充领域关键元器件技术创新与产业发展路径。
会上，士兰微（600460）电子负责光储技术市场的黄经理作题为《士兰新型功率器件为储能（885921）带来的机遇和挑战》的技术报告，围绕光储产业发展趋势及新型功率器件应用需求，分享了士兰在IGBT和SiC MOS等功率半导体（881121）领域的技术积累与应用实践。
针对光储系统对高效率、高可靠性和高功率密度的需求，报告重点分享了士兰IGBT芯片技术的发展成果。通过持续推进工艺升级和产品迭代，士兰新一代IGBT产品在降低损耗、提升功率密度和提高工作结温等方面取得积极进展，可有效减少系统并联器件数量，帮助客户实现更优的系统设计和成本控制。在光储应用案例中，结合优化控制策略，系统损耗和器件结温均得到明显改善，为光储设备长期稳定运行提供了有力支撑。
在第三代半导体（885908）领域，报告介绍了士兰SiC MOS芯片的技术演进路线及应用成果。相比传统硅基器件，SiC MOS具有成本低、开关损耗低、工作频率高、功率密度高等优势，能够进一步提升光储系统转换效率和系统集成度。依托士兰微（600460）电子自主研发的1200V系列SiC MOS产品及配套解决方案，士兰已形成覆盖户用光储、工商业光储、电站储能（885921）等应用场景的SiC MOS产品布局，为客户提供更加高效可靠的功率器件选择。
经过多年持续投入，士兰微（600460）电子已形成覆盖芯片设计、制造、封装测试等环节的IDM经营模式，拥有完善的研发体系和制造平台，在功率器件领域建立了较为完整的产品矩阵和产业基础。当前，随着新能源（850101）装机规模持续增长和储能（885921）市场快速发展，功率半导体（881121）正迎来新的发展机遇。未来，士兰微（600460）电子将持续加大在IGBT、SiC MOS等核心功率器件领域的研发投入，不断提升产品性能和技术水平，积极推动新型功率器件在光储充等新能源（850101）应用场景中的创新应用，为行业高质量发展贡献力量。
