6月14日，东芯股份（688110）发布公告称，公司第三届董事会非独立董事AHNSEUNGHAN因个人原因申请辞去公司第三届董事会非独立董事职务，同时辞去公司第三届董事会战略与可持续发展委员会委员职务。
AHNSEUNGHAN辞职报告自送达公司董事会之日起生效，其辞职后将不再担任公司任何职务，公司亦不再认定其为核心技术人员。值得一提的是，AHNSEUNGHAN，存在未履行完毕的公开承诺，但不属于增持承诺。
截至公告披露日，AHNSEUNGHAN未直接持有公司股份，其通过苏州东芯科创股权投资合伙企业（有限合伙）间接持有公司1,784,730股。AHNSEUNGHAN在辞任后将继续遵守《上海证券交易所科创板股票上市规则》等有关规定及公司首次公开发行股票时所做的相关承诺
年报披露，AHNSEUNGHAN2025年从公司获得的税前薪酬总额达156.67万元，1988年至1990年任韩国LG电子有限公司研发部设计组负责人；1990年至2000年任海力士半导体（881121）公司存储事业部总裁；2015年9月起任公司董事。
保密及竞业限制方面，根据公司与AHNSEUNGHAN签署的《保密、竞业禁止及知识产权归属协议》，双方对竞业限制事项、保密内容以及权利义务进行了明确的约定。
AHNSEUNGHAN在离职后24个月内不得直接或间接地设立、经营、持有、参与任何与公司及/或公司的关联公司所从事业务存在直接或间接竞争的实体，或为该等实体提供财务支持、担保或任何建议或服务（无论是否有偿）。
东芯股份（688110）表示，所负责的工作已经平稳交接。本次核心技术人员离职不会对公司技术研发、核心竞争力及持续经营能力产生实质性影响，不会影响公司拥有的核心技术。
为保证公司董事会的规范运作，公司于6月14日召开第三届董事会第十四次会议，同意颜荣勤为公司第三届董事会非独立董事候选人，并同意提交公司股东会审议。若颜荣勤被公司股东会选举为非独立董事，则任期自公司股东会审议通过之日起至第三届董事会任期届满之日止。
资料显示，东芯股份（688110）于2021年登陆上交所科创板，能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片（886042）完整解决方案，产品广泛应用于网络通信、安防监控、消费电子（881124）、工业控制与智能化、汽车电子（885545）等领域。
业绩方面，2023年至2025年，东芯股份（688110）分别净亏损3.06亿元、1.67亿元、1.95亿元，累计亏损额约为6.68亿元。
值得注意的是，数据显示，2022年至2025年，东芯股份（688110）经营活动产生的现金流量净额持续“失血”，分别为-2.61亿元、-3.02亿元、-2.78亿元、-1.58亿元。
2026年一季度，东芯股份（688110）实现营收4.79亿元，同比增长236.95%；归母净利润1.38亿元，同比增长333.42%。截至2026年3月31日，东芯股份（688110）应收账款为1.88亿元，同比增长89.04%。
二级市场上，截至6月12日收盘，东芯股份（688110）下跌1.01%，报125.70元/股，总市值约556.07亿元，近一年以来公司股价累计上涨约323%。
