美芯晟推出全集成 Qi2.2 无线充电发射芯片MT5808

2026-06-22 10:56:45
作者:点击蓝字
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AIME

问财摘要

1、美芯晟推出高性能全集成无线充电发射端SoC——MT5808,全面兼容WPC Qi2.2标准,支持BPP、EPP及MPP协议,最高支持30W功率输出,充电效率可达85%以上。 2、MT5808是一款基于磁感应的无线充电发射端SoC,内部集成ARM Cortex-M0处理器及多种存储单元、多通道ASK解调、高精度电流检测及多重保护电路。
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随着无线充电(885774)技术的持续演进,智能手机、可穿戴设备及各类消费电子(881124)对充电速度、兼容性与系统稳定性的要求日益提升。WPC Qi2.2标准的发布进一步推动了磁吸快充的普及,无线充电(885774)时长和手机兼容性成为市场关注的焦点。

为满足新一代无线充电(885774)发射端对效率与兼容性的严苛需求,美芯晟推出高性能全集成无线充电(885774)发射端SoC——MT5808。该芯片全面兼容WPC Qi2.2标准,支持BPP、EPP及MPP协议,同时支持客户私有协议定制,最高支持30W功率输出,充电效率可达85%以上,专为追求高性能与高集成度的无线充电(885774)应用而设计。

MT5808是一款基于磁感应的无线充电(885774)发射端SoC,内部集成ARM Cortex-M0处理器及多种存储单元、多通道ASK解调、高精度电流检测及多重保护电路。芯片支持3V-24V宽输入电压,外围设计极简,可广泛应用于智能手机、可穿戴设备、医疗电子及工业控制等领域的无线充电(885774)发射方案。

产品特性

符合最新WPC标准(BPP Qi1.3/EPP Qi2.2.1/MPP Qi2.2协议)

支持客户私有协议定制

输出功率达30W

内置全桥功率MOS

内置谐振电容切换MOS驱动电路

内置ARM-M0及32kB MTP、32kB ROM、8kB SRAM

支持解调动态阈值跟踪

支持QC2.0/3.0、PD2.0/3.0/3.1/3.2

电压电流精度<1%

Q值检测精度<1%

支持OCP、OVP和OTP等多种保护

FCQFN (4mm×4mm)封装

技术亮点

■ 充电效率高,速度快

MT5808内部集成全桥MOS并采用低导通电阻设计,有效降低了开关与导通损耗,提升了能量转换效率。在室温25℃、线圈间距2mm的测试条件下,系统峰值效率达85%以上,相同条件下比竞品高出0.5%。以iPhone 17系列为例,从1%电量充至30%约17-20分钟,充至50%约33-39分钟,充至80%约64-72分钟,充满约104-115分钟,充电时长与原装Magsafe模组相当。兼容性方面,MT5808通过了iPhone 12-17全系列、三星S2X系列及Google Pixel 10 Pro XL等主流手机测试,全程无断充。

■ 高度集成,简化设计

MT5808集成ARM Cortex-M0处理器,并配备8kB SRAM、32kB ROM及32kB MTP内存,提供强大的处理能力和充足的代码空间。该芯片还集成了四个全桥MOS、两个低压差线性稳压器、三通道ASK解调模拟前端以及12通道ASK解调数字信号处理器,高集成度设计使外围电路简洁,有效降低了PCB占板面积与BOM成本,尤其适合磁吸充电宝等PCB空间受限的应用。

■ EMI优异,便捷测试

MT5808可提供灵活的死区时间控制与相位偏移调节,从源头有效抑制电磁干扰。该芯片还支持抖频技术,可大幅改善工作频率N倍频的传导抑制效果。在实际产品测试中,无需额外增加 X/Y 电容、磁珠、屏蔽等外围EMI整改器件,即可保证传导与辐射余量均大于3dB,可有效优化系统成本并极大提高整改效率。

美芯晟MT5808在充电效率、兼容性、集成度与EMI四项关键指标上均表现优异,可帮助客户缩短开发周期(883436)、优化系统成本,并提升认证通过率。该芯片广泛适用于无线充电(885774)底座、磁吸充电宝、智能台灯及工业控制等场景。

*本文提及的测试结果为实验室条件下得出,实际产品视应用环境和批次差异,可能会存在不同,美芯晟科技保留最终解释权。

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