上证报中国证券网讯(陈铭记者操子怡)6月22日，记者从芯联集成（688469）获悉，公司于日前正式推出3300V SiC MOSFET器件，该产品主要面向固态变压器(SST)等高压、高功率密度、高可靠性应用场景，目前已向核心客户送样验证。
据芯联集成（688469）介绍，该产品依托公司自研的8英寸碳化硅(SiC)工艺平台，可实现系统级BOM成本降低20%至35%，有望为固态变压器向更高开关频率、更小体积和更高转换效率演进提供核心器件支撑。芯联集成（688469）同时表示，为进一步补强固态变压器供应链，公司也将推出适配3300V SiC MOSFET的高频高耐压高功率密度磁性器件。
产线布局方面，目前，芯联集成（688469）已完成650V至3300V全电压段SiC MOSFET产品布局，新一代SiC G2.0工艺平台在能效与可靠性上实现突破，8英寸SiC产线已实现大规模化量产。
