捷捷微电：公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利6件

证券日报网讯6月24日，捷捷微电（300623）在互动平台回答投资者提问时表示，公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表的第三代半导体（885908）材料的半导体（881121）器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利6件，此外，公司还有8个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。