7月16日，2026国际集成电路展览会暨研讨会（IIC）电机驱动与控制技术论坛将在深圳科兴科学园国际会议中心盛大举行。作为国内集成电路行业的重要企业之一，上海贝岭（600171）股份有限公司将亮相本次论坛，发表题为《分立到集成:电机驱动系统的灵活演进与全面赋能》的演讲，展示其在电机驱动系统领域的关键技术与一站式解决方案。
深耕工业及新能源领域
产品覆盖电机驱动核心链路
公司功率器件业务定位于为工业及新能源（850101）等领域的应用提供高性能和高可靠性的功率器件产品，结合公司电源管理与信号链芯片等产品形成完整解决方案，为客户提供从芯片到系统、从器件到方案的一站式技术服务，助力终端设备提升能效与运行稳定性。
650V 8A～75A系列IGBT产品
基于贝岭第4代Trench FS IGBT工艺平台，采用3μm pitch的微沟槽工艺，正面结构采用精心设计的“Gate沟槽+dummy沟槽” 比例，背面采用优化的多层FS工艺，获得良好Vce（sat）-Eoff折衷，以及优秀的短路能力；终端采用优化的“FLR+场板技术”，实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。
650V 5A～200A 系列IGBT产品
基于贝岭第7代Trench FS IGBT工艺平台，采用更加先进的1.6μm pitch微沟槽工艺，正面结构通过“Gate沟槽+E短接沟槽+dummy 沟槽”3种沟槽的设计比例优化，背面采用优化的多层FS工艺，获得足够低的Vce（sat）和良好的开关损耗，满足电机驱动应用所需的短路能力；终端采用优化的“VLD技术”，在提高芯片有效面积占比的同时，实现175℃的最高工作结温，并且可以通过HV-H3TRB的加严可靠性测试。
30V/40V SGT MOS产品介绍
贝岭30V/40V系列SGT MOS基于最新低压SGT工艺平台，采用红磷衬底及HDP工艺：红磷衬底的电阻率只有砷衬底的1/3，可以显著降低衬底电阻；HDP工艺可以制得高密度元胞，优化电容和栅极电荷，降低沟道电阻及整体导通电阻。得益于精心调试的工艺和元胞尺寸，高密度元胞并没有额外增加应力，晶圆基于常规减薄技术可以实现100μm及以下厚度规格，显著降低了衬底电阻和芯片的比导通电阻，提高了产品竞争力。
60～150V SGT MOS产品介绍
上海贝岭（600171）80～150V系列SGT MOS基于最新的中压SGT工艺平台，采用多层外延技术优化电场分布，弥补电场缺失部分，因此实现应用更高掺杂浓度的EPI也能保持BV不掉，从而显著降低了导通电阻。其中80～100V系列得益于工艺、版图和元胞结构的协同设计，在实现高密度元胞的同时晶圆也可以减薄至100μm(非Taiko工艺)，有效降低了衬底电阻。150V系列则采用HDP工艺制备高密度元胞，通过结构的设计实现了导通电阻和栅极电荷的平衡调谐，针对不同应用需求可以定制化实现不同的电性参数。
200V SGT MOS产品介绍
上海贝岭（600171）200V系列SGT MOS基于最新中压SGT工艺平台，在元胞尺寸、多层外延设计、工艺匹配和版图设计等方面实现最优组合。全耗尽结构实现产品高通（QCOM）流能力，器件结构与布局的调控显著优化品质因子，保障产品具有竞争优势的比导通电阻和品质因子参数，同时兼具优异的EAS能力。
PIM功率集成模块
上海贝岭（600171）PIM产品采用34mm、62mm、Easy2B、Easy1B等封装，集成IGBT及SiC芯片，拓扑涵盖半桥、I型三电平、六单元、七单元等。电压等级650V/1200V，电流范围15A～600A，支持中频、高频及中低频应用。适用于商业电磁炉、UPS、光伏逆变器（884304）、工业电源、变频器、OBC等场景。部分型号具备短路能力，可满足高效、高功率密度电源及电机系统设计需求。
IPM智能功率模块
上海贝岭（600171）IPM产品提供DIP24-HL、DIP25-HL、DIP26-HL、SOP23、DIP29-HL、SIP35等封装，拓扑以三相全桥及二合一为主，采用IGBT及SiC芯片。电压覆盖500V～1200V，电流5A～35A，适用于中低频应用。典型应用包括空调（884113）外机、工业风机、厨房电器、高速风筒、主动悬架、压缩机等。多数型号具备短路能力，集成度高，适合对可靠性有严格要求的电机驱动与功率控制系统。
