芯朋微PN7924：赋能AI服务器与
数据中心电源的GaN驱动破局者
随着AI算力爆发与数据中心功耗飙升，功率半导体（881121）正加速从硅基向第三代半导体（885908）跃迁。GaN（氮化镓）是一种宽禁带化合物半导体材料（884091），具备高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等优势。相比传统硅器件，GaN功率器件的高频特性更为出色，可有力推动开关变换器向MHz级开关频率迈进。
为保障增强型GaN器件在高频下的可靠驱动并防止误开通，芯朋微（688508）推出了驱动电压可调与负压关断功能的GaN半桥驱动芯片PN7924。该芯片具备驱动正压可调、负压关断、低传播延迟及智能保护等特性，适用于800V HVDC、服务器PSU及模块电源等高频高密度应用场景。
【PN7924】驱动电压可调+负压关断功能的GaN半桥驱动芯片
01. 驱动电压可调：内部集成了LDO稳定栅极驱动电压，并可外部调节（5~7V），既可避免GaN栅压过高损坏，又可避免栅压不足造成饱和电流下降
02. 负压关断：内置电荷泵产生-2.5V电压，在PWM为低电平期间，驱动电压只有高于Vth+2.5V才会导致GaN开通，从而避免dv/dt造成误开启
03.传播延迟极低：传播延迟35ns，通道匹配时间2ns，适应1MHz + 高频开关
04. 保护功能全：内置欠压保护、过温保护、防直通等保护，为系统高可靠运行保驾护航
01
驱动电压可调
PN7924芯片内部集成了LDO稳定栅极驱动电压，并可外部调节，既可避免GaN栅压过高损坏，又可避免栅压不足造成饱和电流下降。
PN7924可稳定驱动电压，以高侧驱动为例说明如下：
02
负压关断
PN7924内置电荷泵产生-2.5V电压，在PWM为低电平期间，驱动电压只有高于Vth+2.5V才会导致GaN开通，从而避免dv/dt造成误开启。
03
传播延迟极低
PN7924采用 OOK 调制容隔离技术，内部载波频率达500MHz，传播延迟35ns；高低侧通道采用精准匹配设计，通道匹配时间2ns。
传播延迟实测波形如下：
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保护功能全
PN7924保护功能全：VCC/VB/HVDD/LVDD四路欠压保护+过温保护，保障系统高可靠性，为系统高可靠性运行保驾护航。
LVDD/HVDD欠压锁定工作波形如下，可有效避免驱动电压不足造成GaN损坏。
PN7924典型应用/系列化产品
AIDC 800V转48V IBC：
服务器电源PSU:
深耕第三代半导体驱动升级
赋能绿色算力未来
800V HVDC将数据中心供电推向更高效率与更低铜耗，PN7924具备驱动正压可调、负压关断、低传播延迟及智能保护等特性，可有力推动开关变换器向MHz级开关频率迈进。
随着全球能源（850101）效率标准趋严与算力需求指数级增长，高频、高效、高可靠的功率转换已成为不可逆的技术趋势。芯朋微（688508）将持续深耕第三代半导体（885908）驱动技术前沿，携手产业链上下游合作伙伴，共同推动GaN在更多场景中的规模化应用，为全球能源（850101）数字化与绿色低碳转型贡献中国芯力量。
