2026年6月27日，第十五届国际汽车电子（885545）产业峰会（IAEIS 2026） 在深圳国际（HK0152）会展中心盛大举行。上海贝岭（600171）自主研发的车规级特高压（885425）MOSFET——BLQ3N120凭借卓越的产品性能与市场表现，在本次峰会颁奖典礼中，从众多参评产品中脱颖而出，斩获行业权威奖项，再次彰显了公司在汽车电子（885545）功率半导体（881121）领域的硬核实力。
明星产品BLQ3N120：
特高压MOSFET的技术标杆
此次获奖的BLQ3N120系列是上海贝岭（600171）面向新能源汽车（885431）高压应用打造的明星产品之一。作为硅基N沟道增强型特高压（885425）平面MOSFET，BLQ3N120具备1200V高耐压，采用先进的MOSFET技术，在降低导通损耗、提升开关速度及增强抗瞬态能力方面表现卓越。
核心参数亮点：
· 耐压等级：1200V
· 漏极电流：3A
· 典型导通电阻：5Ω
· 栅极电荷Qg：27nC
· 车规认证：通过AEC-Q101车规级认证，支持-55℃至150℃结温范围，100%雪崩能量测试
这些技术特性使BLQ3N120在高压场景中显著降低导通与开关损耗，同时内置ESD保护结构，抗静电能力出色，为高密度、高可靠性的系统方案提供了理想选择。
深度赋能新能源车核心场景
BLQ3N120系列精准对标新能源汽车（885431）电气化升级的关键需求，目前已广泛应用于：
· 动力电池管理系统（BMS）：可替换传统光MOS方案，用于总压检测、绝缘检测、粘连检测三大核心功能。1200V高耐压特性满足高压BMS检测需求，帮助客户显著降低系统成本。
· 车载辅助电源与主驱辅电：用作反激开关电路的核心电子开关，1200V高耐压无需采用两个MOS管串联或选用成本更高的SiC MOS，有效优化系统成本与可靠性。
凭借出色的产品力，BLQ3N120已成功进入国内多家主流主机厂及Tier 1供应商体系，实现规模化量产上车。
持续深耕，为汽车电子注入“芯”动能
此次在IAEIS 2026荣获大奖，是行业对上海贝岭（600171）车规级功率半导体（881121）技术实力的又一次权威认可。未来，上海贝岭（600171）将继续秉承“用芯创造美好生活”的品牌理念，致力于推出更多高安全、高性能、高性价比的车规芯片与解决方案，助力中国汽车电动化与智能化升级，与产业链伙伴共创“芯”未来！
