中国银河（601881）证券发布研报称，AI算力驱动光互连升级，磷化锢全产业链从"材料瓶颈"走向"价值重估":随着800G光模块规模化部署、1.6T加速导入.CPO/SiPh在下一代AI集群中从样品向量产迁移，磷化锢(InP)作为唯一可支撑1310/1550nm长距高速单模发射的直接带隙III-V材料，其战略地位从"光通信衬底"跃升为"AI基础设施卡脖子环节"。2025年全球InP器件需求约200万片，实际产能仅约60万片，供需缺口超50%，且扩产周期（883436）长、良率爬坡慢、上游锢资源伴生于锌矿，供给弹性极弱。
中国银河（601881）证券主要观点如下：
上游钢资源"伴生+管制"双重约束，纯度瓶颈卡住产业链咽喉
全球90%原生锢来自锌矿副产，中国精炼产量占全球约70%;2025年2月商务部对磷化锢等材料实施出口管制后，东西锢价脱钩，6N级以上高纯钢提纯〔电解一真空蒸馏―区域熔炼多段工艺)进一步制约衬底端原料可得性，上游稀缺性正向中游传导。
中游衬底寡头垄断格局稳固，6英寸升级+扩产周期是核心
衬底市场份额更小，但其技术壁垒和市场集中度远高于外延:衬底制造是从0到1的结晶过程，核心难点在于:1)核心瓶颈在上游，衬底制造严重依赖6N级(99.9999%)以上的超高纯钢;2)长晶工艺极难，InP单晶生长需在高温高压下进行极端环境控制，且扩产周期（883436）较长，设备交期和良率爬坡极慢;3)高度寡头垄断:全球InP衬底住友(42%)、AXT（AXTI）/北京通美〔36%)、JX日矿(13%)三家合计垄断>90%份额。住友大阪工厂预计扩产3倍、AXT（AXTI）募资6.325亿美元扩产，缺口填补可期。而外延是在衬底上生长薄膜，其较衬底而言，市场集中度更低、市场份额更高。因此，该行认为，磷化锢衬底作为产业链最上游的制造环节，是当前技术壁垒最高同时供需最紧张，也是当前AI光模块链中最为卡脖子的一环。
下游EML短缺倒逼技术路径分化，InP在光源侧不可替代性强化
光芯片沿EML(现行)→Cw+SiPh(高速发展)→CPO+ELS(2026-2028)→硅基单片III-V(2030+)四代演进;EML被NVIDIA等锁产能、交付延至2027年后，800G供需缺口40-60%，驱动CW+SiPh加速渗透，但CW的InP基底仍依赖住友/AXT（AXTI），InP需求不减反增。
产业链利润向"衬底/外延+高溜光芯片"双集中，垂直整合厂商议价权放大
衬底技术壁垒、厂商集中度最高;外延因MOCVD可采购而分散，但定制化程度高、客户粘性强;下游EML/CW/UHP芯片与CPOELS模块ASP具备2-3倍弹性。拥有InP长晶+外延+芯片+模块全栈能力的IDM(Lumentum、Coherent（COHR）)与衬底材料龙头(住友、AXT（AXTI）/通美)将享受缺口溢价。
投资建议
行业供不应求，高景气度。建议关注相关龙头标的，光通信相关标的:AXT（AXTI）(AXTI)，日本住友电气(5802.T)，IQE(IQE.L)，AppliedOptoelectronics(AAOI.O)，Lumentum(lite（LITE）)，Coherent（COHR）(COHR)，Ciena(CIEN.N)等，关注盈利能力和估值双升趋势。
风险提示
1.CSP（CSPI）资本开支不及预期导致需求波动的风险;2.上游锢供应与出口管制扰动的风险;3.衬底外延扩产与良率爬坡不及预期的风险;4.技术路径替代与CPO渗透节奏不及预期的风险。
