存储荒预警确认AI挤占效应,A股半导体迎量价齐升与扩产共振

2026-08-17 14:43:29
来源:财闻
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AIME

问财摘要

1、上证科创板半导体材料设备主题指数强势上涨,成分股中科飞测、艾森股份、微导纳米等跟涨。 2、SK海力士关于“2027年将迎最严重存储荒”的警告,实质上确认了AI算力需求对全球存储产能的深度挤占与长周期锁定。当前半导体产业链正处于新一轮量价齐升超级周期的右侧,A股相关公司将直接受益于全球存储价格飙升与国内自主可控提速的双重红利。
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微导纳米--
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截至2026年8月17日14:26,上证科创板半导体材料(884091)设备主题指数强势上涨4.62%,成分股中科飞测(688361)(688361.SH)上涨11.69%,艾森股份(688720)(688720.SH)上涨8.79%,微导纳米(688147)(688147.SH)上涨8.12%,天岳先进(688234)(688234.SH),欧莱新材(688530)(688530.SH)等个股跟涨。科创半导体ETF华夏(588170)上涨4.51%,半导体设备ETF华夏(562590)上涨4.19%,科创综指ETF华夏(589000)上涨3.33%。

消息面上,日前,SK集团会长崔泰源在SK海力士(SKHY)(SKHY.US)韩国总部接受媒体采访时,用这样的措辞形容当前的存储芯片(886042)市场。“价格涨得太快了,对此我真的很抱歉。”崔泰源表示。

SK海力士(SKHY)关于“2027年将迎最严重存储荒”的警告,实质上确认了AI算力需求对全球存储产能的深度挤占与长周期(883436)锁定。当前半导体(881121)产业链正处于新一轮量价齐升超级周期(883436)的右侧,A股相关公司将直接受益于全球存储价格飙升与国内自主可控提速的双重红利。当前位置建议重点超配存储模组、HBM产业链配套及半导体设备(884229)环节。

以此为锚点,对A股半导体(881121)产业链的影响主要体现在以下三个维度:

一、供需缺口持续扩大,通用存储与HBM迎来全品类价格飙升。

AI算力需求爆发导致原厂将产能向HBM倾斜,进而大幅挤占了通用DRAM的供给,全品类涨价趋势已经确立。高盛(GS)在专家纪要中指出,“2027年DRAM供给偏紧格局将延续,价格不会下跌,全年ASP预计上涨20-30%”,同时“行业共识2027年HBM价格涨幅为130-150%”。

TrendForce分析认为,“基于DRAM供不应求市况、新旧世代HBM的高制造难度及高成本,三大原厂将于2027年大幅调高HBM的报价”。这种源自海外原厂的提价动作,将直接改善A股存储模组及利基型存储设计厂商的盈利模型,相关企业有望在未来1-2年内迎来利润率的显著修复与业绩高增。

二、海外产能被长协锁定,国内HBM及先进封装(886009)配套环节加速放量。

在全球产能极度紧缺的背景下,海外大厂的产能已基本被头部科技巨头包揽,国内市场面临巨大的供给真空。

野村东方国际指出,“大型数据中心客户已通过预付款和LTA锁定未来五年优先供应权和价格”。这种锁定导致国内缺口急剧放大,据行业专家测算,“2027年国内HBM需求量预计11.5万片/月(考虑H等激进指引背景下),仅靠国内产能无法覆盖缺口”。海外供应链的断层将倒逼国产替代全面提速,A股具备先进封装(886009)(如CoWoS配套)能力的企业,以及HBM核心材料(如前驱体、电子级氢氟酸)和测试设备的供应商,将迎来确定性的订单外溢与国产化加速红利。

三、原厂资本开支大幅上行,半导体设备(884229)及材料端迎来长周期(883436)景气共振。

为应对史无前例的存储短缺,全球头部原厂正开启新一轮激进的资本开支周期(883436)。万联证券指出,“为应对AI时代持续增长的存储器需求,SK海力士(SKHY)最新宣布,将在韩国龙仁和清州新建两座晶圆厂,合计投资规模约54万亿韩元(约合380亿美元)”。

东吴证券(601555)(601555.SH)表示,“看好FAB场资本开支上行受益的半导体设备(884229)板块”。全球晶圆厂扩产潮叠加国内存储基地的持续建设,将为A股半导体设备(884229)(尤其是刻蚀、薄膜沉积、量测等核心环节)及零部件企业提供强劲的订单支撑。当前市场愿意为业绩加速的确定性支付溢价,设备板块有望迎来盈利上行与估值扩张的戴维斯双击。

四、核心标的拆解

中微公司(688012)(688012.SH)是国内高端半导体设备(884229)代表企业,产品覆盖等离子体刻蚀设备、MOCVD设备及薄膜沉积设备。刻蚀是晶圆制造中形成微观结构的核心工艺,随着逻辑芯片、存储芯片(886042)先进封装(886009)不断提升工艺复杂度,刻蚀步骤及设备需求有望相应增加。

拓荆科技(688072)(688072.SH)主要从事半导体(881121)专用设备(881118)的研发、生产和销售,产品覆盖PECVD、ALD、Gap Fill及3D IC设备,核心业务集中于薄膜沉积和三维集成环节。随着先进制程对薄膜层数、均匀性和沉积精度提出更高要求,叠加存储扩产与先进封装(886009)发展,公司产品的应用空间有望继续扩大。

富创精密(688409)(688409.SH)主要为半导体设备(884229)企业提供工艺零部件、结构零部件、气体传输系统及模组产品,是连接上游精密制造与半导体(881121)整机设备的重要环节。随着国产设备厂商产品验证和出货规模扩大,对高洁净、高耐腐蚀及高精度零部件的需求也有望同步增长,公司受益逻辑主要来自设备放量与核心零部件国产化。

有研硅(688432)(688432.SH)是国内重要的半导体(881121)硅材料企业,主要从事半导体(881121)硅片的研发、生产和销售,产品包括重掺硅片、轻掺硅片和区熔硅片等,主要应用于集成电路、功率器件等领域。硅片是晶圆制造的基础衬底材料,随着国内晶圆厂产能扩张以及半导体材料(884091)国产化持续推进,公司产品的市场空间有望进一步打开。

欧莱新材(688530)主要从事高性能溅射靶材的研发、生产和销售,产品包括铜靶、铝靶、钼及钼合金靶、ITO靶等,可应用于半导体(881121)显示、集成电路及封装、太阳能光伏等领域。溅射靶材是薄膜沉积环节的关键材料,随着先进封装(886009)集成电路制造(884227)及新型显示产业发展,对高纯度、高性能靶材的需求有望持续增长。

有研新材(600206)(600206.SH)业务覆盖高纯金属靶材、先进稀土(884215)材料、特种红外光学及光电材料、生物医用材料等多个新材料领域,其中集成电路用高纯金属靶材与半导体(881121)制造关联度较高。公司近期进一步加码半导体材料(884091)业务,拟投资4.86亿元建设集成电路用高纯溅射靶材二期扩建项目,提升高纯铜及铜合金、高纯钽、高纯钛靶材产能,并面向先进制程推进技术突破,随着国内晶圆制造扩产和高端靶材国产化推进,公司相关业务有望受益。

五、相关ETF

科创半导体ETF华夏(588170)及其联接基金(A类:024417;C类:024418):跟踪指数是科创板唯一的半导体设备(884229)主题指数,其中存储芯片(886042)含量超70%,长鑫存储概念含量55%,先进封装(886009)含量超67%,聚焦于科技创新前沿的硬核设备公司。

半导体设备ETF华夏(562590)及其联接基金(A类:020356;C类:020357):跟踪中证半导体材料(884091)设备主题指数,其中半导体设备(884229)的含量在全市场指数中最高(约66%),长鑫存储概念含量在全市场指数中最高(61%),直接受益于全球芯片涨价潮对“卖铲人”(设备商)的确定性需求。

如果担心押注单行业波动太大,可以关注科创综指ETF华夏(589000)一指布局科创板全景,无需选择行业/个股,低门槛参与20CM;硬科技含量足,半导体(881121)含量53%,宽基中仅次于科创50(1B0688)指数;灵活调仓机制,科创板上市以来日均市值前十个股,上市3个月以后即可纳入,有望率先纳入长鑫科技(688825)(688825.SH)。

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