中信建投（601066）发布研报称，对照全球先进封装（886009）工艺的发展路径，中国大陆的先进封装（886009）工艺目前正处于CoWoS技术渗透率快速提升的阶段。由于中国大陆的晶圆代工厂暂未进行RDL等中段工艺量产，而OSAT厂商在2.5D/3D/CoWoS领域均有所布局。能够率先突破量产且完成产能扩张的OSAT厂商有望形成先发优势，卡位占据较高的行业份额。但伴随产业发展趋势演进，类比台积电（TSM），中国大陆的晶圆代工厂在先进封装（886009）领域的重要性同样不可忽视，Foundry在前道技术和设备产能的优势能够有助于其在先进封装（886009）技术迭代中实现追赶甚至反超。
中信建投主要观点如下：
先进封装（886009）作为后摩尔时代提升芯片性能的重要手段，是封测产业发展的主驱力和核心增量，全球先进封装（886009）规模由2019年的252.9亿美元增长至2024年的407.6亿美元，预计2029年达到674.4亿美元，2024—2029年CAGR为10.6%，明显高于传统封装。中国大陆先进封装（886009）市场同样保持较快增长，规模由2024年的513.5亿元增至2029年的1,005.9亿元，CAGR约14.4%，市场占比持续提升。其中2.5D/3D增长最为突出，全球规模预计由2024年的81.8亿美元增至2029年的258.2亿美元，CAGR达25.8%。
先进封装（886009）的驱动力已由智能终端逐步切换至AI、HPC等高算力应用。随着芯片算力提升，I/O数量由几十上百个快速增长至成千上万个，传统封装难以满足高密度互联需求，推动封装向Chiplet、2.5D/3D异构集成演进;同时，HBM由平面向高层数3D堆叠发展，进一步提升封装工艺需求。光互联方面，COUPE推动光电转换环节向封装层下沉，形成算力、存储与光互联协同驱动的增长格局，先进封装（886009）在芯片性能提升中的重要性持续提高。
当前已形成以CoWoS为基础、CoWoP、CoPoS、SoIC、EMIB等多技术路线并行演进的格局。CoWoS已进入量产并广泛用于AI芯片、HPC及HBM;CoWoP通过PCB替代传统载板降低成本，CoPoS通过大尺寸Panel提升单位产出，SoIC则通过更小键合间距进一步提高互连密度、降低延迟和功耗;与此同时，HBM持续向更高层数堆叠发展，COUPE推动硅光与先进封装（886009）融合。在需求端快速增长下，先进封装（886009）供给持续紧张。
风险提示
先进封装（886009）需求不及预期风险：AI算力芯片、Chiplet、HBM等应用仍处于快速发展阶段，若下游终端需求、资本开支或产品迭代放缓，可能导致先进封装（886009）订单及产能利用率低于预期。
技术迭代与路线变化风险：2.5D、3D、Chiplet、CPO等技术仍在持续演进，不同技术路线的商业化节奏存在不确定性，若客户技术方案调整，可能造成已有设备、产线及研发投入回报低于预期。
客户导入及量产进度风险：先进封装（886009）产品通常需经历技术验证、小批量试产、可靠性认证后再进入规模量产，客户导入周期（883436）可能较长，相关项目存在研发或量产进度不及预期的风险。
产能扩张及盈利能力风险：先进封装（886009）项目具有较高资本开支和设备投入，若行业竞争加剧、产品价格下降或新增产能释放快于需求增长，可能导致产能利用率下降并对毛利率形成压力。
供应链及制造良率风险：先进封装（886009）涉及载板、中介层、键合材料、设备及高精度工艺协同，供应链稳定性和良率爬坡对盈利影响较大，若关键环节出现短缺或良率提升不及预期，可能影响交付和成本控制。
