SK海力士下一代HBM引入英特尔EMIB技术,探索混合键合突破16层堆叠

2026-08-24 10:02:53
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截至9:40,同指数费率最低标的科创芯片ETF(588290)跟踪指数下跌1.57%。相关个股中,荆拓科技上涨3.53%,富创精密(688409)上涨1.2%,中微公司(688012)上涨1.19%。

消息面上,SK海力士(SKHY)正在为其下一代HBM解决方案引入包括英特尔(INTC)EMIB在内的先进封装(886009)技术,并计划最终迈入3D封装时代。在2026年的Hot Chips大会上,SK海力士(SKHY)封装工程副总裁Jaesik Lee发表了题为“高带宽内存的先进封装(886009)”的报告,详细阐述了公司将如何利用先进封装(886009)技术加速其HBM产品路线图,目前SK海力士(SKHY)正在探索混合键合(Hybrid Bonding)等方法,以突破16层堆叠的限制,未来,SK海力士(SKHY)还计划通过增加TSV数量、提高逻辑工艺集成的IO速度,以及优化电源分配网络(PDN)来解决功耗挑战。

相关研究机构表示,在华为韬定律推动下,芯片产业通过技术创新有望实现性能突破,为先进封装(886009)企业带来机遇。AI算力建设方兴未艾,带动PCB、存储等高景气赛道需求旺盛,形成产业链协同发展格局,先进封装(886009)、AI芯片及高带宽内存领域有望实现技术突破。(风险提示:以上信息仅供参考,不构成投资建议。入市有风险,投资需谨慎。)

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