9月9日，半导体板块短线拉升，大港股份（002077）(002077.SZ)涨停，先锋精科（688605）(688605.SH)、英集芯（688209）(688209.SH)、裕太微（688515）、必易微（688045）(688045.SH)、华微电子（600360）(600360.SH)等纷纷走高。
当日韩股开盘，韩国综指涨超1%，SK海力士（SKHY）(SKHY.US)盘中涨超3%。
隔夜美股，希捷科技（STX）(STX.US)涨6.49%至904.38美元，西部数据（WDC）(WDC.US)涨2.10%至477.30美元，SK海力士（SKHY）(SKHY.US)ADR涨7.1%，闪迪（SNDK）(SNDK.US)涨3.6%；但美光跌1.61%至1000.26美元，英伟达（NVDA）(NVDA.US)跌2.01%至225.73美元。
消息面上，高通（QCOM）(QCOM.US)9月8日发布公告称，将与亚马逊（AMZN）(AMZN.US)开展跨多代产品合作，为大规模人工智能（885728）数据中心开发定制芯片，并在AI推理领域展开合作。双方还将开发最高达1.6T及后续世代的光连接方案，支持亚马逊（AMZN）数据中心网络的高带宽互联。
英特尔（INTC）(INTC.US)同日发布公告，披露其代工业务与阿斯麦（ASML）(ASML.US)在高数值孔径极紫外光刻(High NA EUV)技术应用方面的进展。英特尔（INTC）表示，该技术已用于部分酷睿Ultra第三代处理器特定层的量产。公告称，在英特尔（INTC）18A工艺中，采用High NA技术制造的部分层，其性能达到或超过采用现有NXE平台加工的可比层。双方还将继续推进更大尺寸掩模版相关的标准、基础设施和技术发展。
另据报道，苹果（AAPL）(AAPL.US)近期或已就NAND闪存供应签订长期供货协议(LTA)。
此外，韩国券商KB证券7日发布的最新报告显示，按照今年第三季度的市场测算，三星电子和SK海力士（SKHY）可供出货的存储芯片（886042）库存已降至不足10天的供货量。这家券商警告说，明年存储芯片（886042）行业可能将出现史上最严重的供给紧缺。
库存下降的背后，是全球科技企业对AI基础设施的大规模持续投入。报告预计，明年全球头部云服务商的AI相关投资将达到1.3万亿美元，同比增长60%。报告还指出，预计存储芯片（886042）在AI基建投资中的占比将从去年的14%升至今年的40%，明年则进一步升至57%。
分析说，供给端的结构性变化将进一步放大供需矛盾。存储芯片（886042）厂商正在倾斜大量产能生产新一代高带宽存储芯片（886042）HBM4，这种存储芯片（886042）专门用于AI大模型训练。同等存储容量下，生产HBM4所需消耗的晶圆产能，约为传统DRAM的三倍。DRAM主要用作手机、电脑的运行内存，是消费（883434）端通用内存的核心芯片。在晶圆总产能有限的背景下，高端存储芯片（886042）HBM4的扩产将挤压普通存储芯片（886042）的产能，这会进一步加大后续市场的供给压力。
