银河微电:拟10.78亿元布局功率分立器件与第三代半导体 打造新营收增长点

2026-09-21 21:21:01
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中证智能财讯银河微电(688689)(688689)9月21日晚间公告,为提高公司集成电路分立器件(884090)产品的生产加工制造能力,扩大集成电路分立器件(884090)产品的生产规模,公司于当日董事会审议通过《关于投资高端核心器件产业化及创新能力建设项目的议案》,同意公司以自有或自筹资金10.78亿元投资实施“高端核心器件产业化及创新能力建设项目”,并授权公司管理层办理该项目投资的所有后续事项。

本项目系公司已披露项目“高端集成电路分立器件(884090)产业化基地一期厂房建设项目”的延续和产业化落地环节。前置项目主要完成土地购置及厂房土建等基础设施,本项目不涉及新增土建,主要在一期厂房基础上实施装修改造、设备购置安装、产线调试及客户验证。项目投资将按照“整体规划、分步实施、分批投入”的原则推进,根据市场情况、客户验证进度及产能消化情况动态安排资金投入节奏。

上述项目产品定位为采用SGT/SJ、IGBT、SiC/GaN等先进芯片结构,通过AEC-Q101等高可靠性认证,面向新能源汽车(885431)、储能(885921)、工业等高门槛场景的功率分立器件(884090)与第三代半导体(885908)器件,主要包含SGT MOS、超结MOS、IGBT及模块、SiC器件、IPM模块、车规TVS/ESD等,区别于传统消费(883434)类小信号二极管、普通低压平面器件。

项目建设周期(883436)为3年,具体建设周期(883436)以项目基础全面动工开始计算,预计开工时间为2027年1月1日。建设内容包括厂房车间装修,购置生产设备及配套设备,建设新产线,实现公司集成电路分立器件(884090)升级产品小信号器件、功率器件和智能功率模块等产品的落地量产。

根据公告披露的项目必要性分析,当前国内半导体(881121)分立器件(884090)相关产品供给仍有提升空间,公司现有产能主要面向常规产品,相关产能存在一定缺口。本项目将新建产线,实现小信号器件、功率器件和智能功率模块等产品的规模化量产,有助于补充公司相关产能,提升相关产品供给能力。

银河微电(688689)表示,项目的实施将有助于公司丰富产品系列,扩大公司产品市场覆盖范围,为公司创建新的营收增长点,提高公司盈利能力和竞争力,同时有利于公司提升产品供给能力和系统方案交付能力,深化与上下游企业的合作关系,巩固和提升市场地位,对促进公司长期稳定发展具有重要意义。

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