武汉天源拟投资5亿元建设高纯铟及磷化铟多晶生产基地

2026-10-14 19:33:05
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上证报中国证券网讯(记者荆淮侨)10月14日晚间,武汉天源(301127)发布公告称,拟与楚雄高新技术产业开发区管委会就投资建设“楚雄高新区年产200吨6N/7N级高纯铟及年产100吨磷化铟多晶生产基地项目”签署合作协议,项目计划总投资约5亿元,固定资产投资不低于3亿元。

据披露,该项目建设工期12个月,由公司新设全资子公司负责投资、建设与运营,达产后形成6N/7N级高纯铟200吨/年、磷化铟多晶100吨/年的生产能力,项目分高纯铟生产系统与磷化铟多晶生产系统两部分布置。项目资金来源为公司自筹,项目总投资约5亿元,其中自有资金约1亿元,银行贷款约4亿元。

公司表示,磷化铟多晶制备、高纯铟提纯工艺技术门槛高,在工艺稳定、良率控制、规模化量产方面仍存在技术验证风险,当前公司暂无该项业务的自有技术和人员储备,暂不具备独立开展相关业务的技术基础。同时,公司高纯铟及磷化铟多晶的生产业务尚处于发展初期,整体业务规模较小,目前尚无在手订单,尚未形成稳定、可持续的收入及盈利来源,短期内不会对公司经营业绩构成重大影响。

武汉天源(301127)的主业聚焦环境治理(881181)与绿色能源(850101)两大领域,是一家集技术研发、项目投资、工程建设、装备制造、运营服务于一体的综合性环保能源(850101)企业。

半年报显示,今年8月,武汉天源(301127)完成对中讯半导体(881121)(江苏)有限公司的收购,取得其60%控股权,收购价款750万元。中讯半导体(881121)成立于2022年,主营磷化铟等化合物半导体(881121)衬底材料的研发、生产与销售,拥有有效专利29项,已具备单晶磷化铟等光电子半导体材料(884091)2-4英寸的生产技术条件。

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