中证报中证网讯(记者王佳飞)10月21日，武汉天源（301127）与楚雄高新区管委会就年产200吨6N/7N级高纯铟及年产100吨磷化铟多晶生产基地项目正式签约。此次基地签约，是武汉天源（301127）向半导体（881121）新材料领域战略转型的重要一步，也是持续加码半导体（881121）新材料赛道、补齐产业链上游关键环节的重要布局，将有效助力公司半导体（881121）核心材料自主可控。
该项目总投资约5亿元，厂址位于楚雄高新区云甸化工（850102）园区，规划用地45亩，建设周期（883436）12个月，主要建设6N/7N级高纯铟、磷化铟多晶生产线、研发测试中心、办公楼及其他相关附属配套设施。项目达产后，预计年产值不低于20亿元，对带动当地就业，赋能区域新材料产业发展生态、提升产业能力具有重要意义。
楚雄市委书记刘文跃表示，楚雄地区营商环境优越、资源禀赋突出。武汉天源（301127）高纯铟及磷化铟多晶生产基地落地楚雄，将有效助力楚雄半导体材料（884091）领域产业能力提升，对突破行业重大技术难题具有重要战略意义。
武汉天源（301127）总裁黄昭玮表示，公司当前重点布局绿色能源（850101）与半导体（881121）新材料两大领域，构建战略协同、联动发展的业务格局。此次楚雄生产基地签约，将打通从高纯铟原料到磷化铟多晶再到磷化铟单晶的一体化生产链路，为做大做强半导体材料（884091）业务、助力楚雄高纯材料产业发展奠定坚实基础。
上游合作单位川至电子总经理曹昌威表示，川至电子是国内少数经过行业验证的高端高纯红磷生产企业，未来将优先保障武汉天源（301127）高纯红磷供应，形成战略生态合作，共同促进楚雄市半导体材料（884091）产业集聚发展。
值得关注的是，近年来，武汉天源（301127）在环境治理（881181）业务基础上，逐步拓展绿色能源（850101）业务，并加快光通信新材料产品研发，全力抢占化合物半导体材料（884091）赛道新高地。今年8月，公司完成对中讯半导体（881121）(江苏)有限公司股权收购，正式切入磷化铟衬底研发制造领域。今年10月，武汉天源（301127）携手北京化工（850102）大学共建磷化铟半导体（881121）联合研发中心，畅通技术创新与人才引进通道。本次楚雄高纯铟与磷化铟生产基地落地，将进一步夯实武汉天源（301127）半导体（881121）新材料产业规模化根基，助力国家战略性新兴产业发展。
