IT之家6月8日消息，存储半导体（881121）模组企业宏芯宇(HOSINGLOBAL)在COMPUTEX2026上发布了其自研UFS2.2嵌入式闪存主控芯片HG2325。
IT之家了解到，HG2325采用22nm成熟制程工艺，内置大容量SRAM缓存搭载自研4KB LDPC硬件纠错引擎，适配主流3D TLC/QLC NAND，闪存接口速率支持到1600MT/s。
其兼容高通（QCOM）、联发科技、紫光展锐等厂商的主流SoC平台，支持64GB~1TB的一系列容量规格，其中512GB存储模组的顺序读取与写入速率分别可达1060MB/s和975MB/s。
宏芯宇此次还在台北国际电脑展上展示了PCIe Gen5x4eSSD、DDR5-5600RDIMM、车规级嵌入式闪存&固态硬盘等一系列产品。
