英伟达（NVDA）(NVDA.US)CEO黄仁勋首度证实，公司已完成全球三大存储芯片（886042）厂商资质认证，三家企业将为英伟达（NVDA）AI加速芯片供应其最尖端的高带宽存储产品。
黄仁勋已正式批准三星电子、SK海力士、美光科技（MU）(MU.US)供货HBM4产品，该存储器是英伟达（NVDA）下一代Vera Rubin人工智能（885728）算力平台的核心刚需零部件。上述三家企业垄断全球计算级存储半导体（881121）市场，正激烈角逐这份利润丰厚的英伟达（NVDA）供货订单。黄仁勋在启程赴韩开启多日访问行程后向媒体表态：“三家供应商均已顺利通过资质认证、全线进入量产阶段，目前正全速赶工，保障Vera Rubin平台的供货需求。”
黄仁勋本周出席台北电脑展期间透露，Vera Rubin现已进入全面量产阶段，整机产品将于今年三季度正式出货。这套全新AI系统由英伟达（NVDA）Vera CPU与Rubin GPU集群搭建而成，单台服务器搭载TB级容量的HBM4高带宽内存。
除了即将量产的HBM4以外，三大存储厂也竞相推出下一代HBM产品。据报道，英伟达（NVDA）、AMD(AMD.US)等AI芯片巨头正向HBM供应商施压，要求强化热控与低功耗设计能力。与此同时，报道称，从HBM5起，三星与SK海力士将正式推出芯片级热耗散技术。在COMPUTEX展会上，三星携HBM5模型亮相其HPB(Heat Path Block（XYZ）)技术，SK海力士则发布了将冷却元件（881270）直接集成于封装内的iHBM方案，而美光则另辟蹊径，主推低功耗设计与硅通孔沟槽冷却技术。
本周一在台北，黄仁勋破例设宴会晤韩国合作方，SK集团会长崔泰源(Chey Tae-won)、SK海力士CEO郭鲁正(Kwak Noh-jung)悉数到场，此举意在凸显韩企在英伟达（NVDA）半导体（881121）供应链里的关键地位。ARM(ARM.US)CEO雷内哈斯(Rene Haas)本周也道出全行业共识：高端存储短缺，大概率是当前AI产业链最难攻克的产能瓶颈。
黄仁勋表示，韩国之行后续还将在周五与韩国头部商界领袖会面、共进晚宴，周末计划观战棒球赛事，本次访韩还藏多项合作新动向;英伟达（NVDA）目前正为韩国新设的研发中心启动人员招聘。他补充道：“我已敲定多场会晤，对接对象涵盖现代、LG、SK、三星，当然还有NAVER等一众韩国龙头企业。”
