IT之家7月7日消息，据科技媒体Wccftech今天报道，英特尔（INTC）现已公布一项XBM(eXtended Bandwidth（BAND） Memory，超高带宽内存)的专利技术。据悉，这项技术定位HBM4替代方案，有望提供更高带宽。
据报道，HBM(高带宽内存)目前仍是AI服务器的主流内存标准。但从这两年开始，为了缓解供应短缺、功耗等问题，也有企业选择将LPDDR内存应用在AI产品中。
英特尔（INTC）曾在过去研发HMC(混合内存立方体)、MCDRAM(多通道动态随机访问内存)等技术，但由于种种原因未能实现商业化。
如今随着XBM出世，英特尔（INTC）正在重新调整其DRAM策略。结合此前公布的ZAM(Z角内存)技术，我们不难看出英特尔（INTC）试图重返DRAM市场。
据专利文件所述，XBM内存采用后段晶体管设计，拥有封装基板、可选基础Die以及堆叠式存储芯片（886042）。每层存储芯片（886042）均采用1T1C(一个晶体管、一个电容)的结构，通过将晶体管移至BEOL(Back-End-Of-Line，后端金属互连层)，可提高面积利用率、提升TSV(硅通孔)密度，相比传统前端晶体管DRAM带宽提升显著。
同时，XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案，其封装尺寸将与HBM4保持一致，每颗芯片的容量可在0.5G（885556）B-5G（885556）B之间，运行速度最高可达32GT/s。
此外，这项技术的商业化时间预计将在2030年之后，相比HBM有望实现更高的带宽与容量
