消息 NVIDIA 下代 Groq LPU 芯片转向 3D 堆叠 DRAM，放弃大 SRAM 方案中性

IT之家10月21日消息，韩媒ZDNET Korea当地时间昨日报道称，NVIDIA(英伟达（NVDA）)的下代Groq LPU AI推理加速器芯片有望采用基于TSV(硅通孔)工艺的3D堆叠DRAM方案。

当前一代的Groq LPU采用了大容量SRAM的缓存设计，提供快速解码输出。但SRAM有着容量较小、制程升级密度收益有限的问题，在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。

IT之家注意到，同样采用大SRAM技术路线的Cerebras此前已预告未来的CS-6将3D垂直集成DRAM。