上证报中国证券网讯（记者 刘礼文）工业X射线高端检测装备以及核心部件开放式X射线源（以下简称“开管射线源”）国产替代迈出重要一步。

10月12日，日联科技（688531）对外发布称，日联科研团队历经8年持续攻关，在上千次实验测试后，成功研发出国内首款开管射线源，并实现产业化应用，以纳米级分辨率，完成我国在高端X射线源领域从技术追赶到全球并跑的跨越式突破，在开放式射线源技术领域取得革命性突破。与此同时，公司搭载自研160kV开放式微聚焦X射线源的开管X-RAY智能检测装备也已实现小批量出货。

日联科技开放式X射线源

开管射线源具有焦点尺寸小、放大倍率高、成像效果好的特点，主要应用于高精密工业检测。纳米级开管射线源通过控制电子束，观察芯片内部深层缺陷，成为支撑半导体（881121）制造业继续向更小、更复杂、更集成方向发展的关键质控工具。

据日联科技（688531）相关人士向上证报记者介绍，全球能独立研发和生产高性能纳米级开放式X射线源的公司屈指可数。日联科技（688531）自2012年就成立了基础研发团队，十年如一日，通过上千次实验、工艺调整，完成极其精密的电子光学系统搭建。日联科技（688531）基础研发团队通过对基础理论、关键材料、复杂制备工艺等技术掌握，实现靶材镀膜、焊接技术等全流程工艺可控，完成了国内首款开放式射线源技术自主与创新突破。

据悉，目前，UNOS系列160kV开管射线源已经形成标准化生产流程，实现批量生产，奠定了日联科技（688531）在工业检测行业中的龙头地位，在技术路线选择和市场竞争中占据了更主动的战略地位。

以日联开管X-RAY半导体（881121）智检装备AX9600为例，其颠覆了传统装备在第三代半导体（885908）缺陷识别精度与失效分析瓶颈，保证了0.8μm级缺陷全捕捉、纳米级成像及零缺陷质控全流程闭环；采用日联自研160kV开放式微聚焦X射线源，超大几何放大倍率，高清晰实时成像，完成半导体（881121）产品爬锡高度、连锡、虚焊、漏焊、短路等封装缺陷和空洞、裂纹等内部结构缺陷检测；强穿透能力搭配高放大倍率，可轻松完成3D/系统级封装、IC压焊等工艺中多种类缺陷检测，以及捕捉TGV（Through Glass Via）和TSV（Through Silicon Via）工艺中微小对象的纤细细节。

同时，该设备还搭载自研160kV开放式微聚焦X射线源，可轻松穿透厚密材质，适用于检测高密度集成电路和第三代半导体（885908）（SiC、GaN）的内部结构缺陷；最高可实现2000倍几何放大倍率，结合微焦点X射线源，可实现最小0.8μm高精度检测，清晰呈现比头发丝细100倍的芯片内部结构，完成纳米级缺陷分析；完整2.5D可实现360°全方位XY检测，无死角解析隐藏在芯片底部的焊点空洞或互连桥接、断裂等缺陷。

日联开管X-RAY半导体智检装备AX9600

更值得一提的是，该设备通过AI加持可提升图像质量，标配半导体（881121）自动检测算法，可实现单点0.8秒快速解析，释放人力，检测效率较传统人工提升2000%；可提供21:9超宽视域，全景视域覆盖，可进行多窗口操作，实现跨尺度联动；能实现双摇杆控制多动作操作，轻松完成产品多角度观测。

据了解，经过严苛的产业化验证周期（883436），AX9600在多个尖端生产基地实现部署，其突破性的百纳米级缺陷追溯能力大幅提升先进封装（886009）工艺的检测精度，推动行业良率突破历史性阈值。该设备成功扭转高端检测装备长期依赖进口的产业格局，带动国产设备市占率实现跨越式提升。市场验证表明，该创新产品不仅构建起第三代半导体（885908）检测的新标准体系，更形成显著的商业价值转化。

随着产品在集成电路和半导体（881121）领域的持续渗透，该设备已显现出强劲的持续增长动能，驱动日联科技（688531）价值进阶。目前，开管系列X射线检测设备更多型号正在顺利研发中，后续将陆续推出并实现产业化，相关设备家族将日益庞大。与此同时，公司开管射线源系列更多型号也正在顺利研发中，助力解决纳米级高精度世界各类物理性缺陷和损伤。