IT之家 4 月 16 日消息，Tesla 特斯拉（TSLA） CEO 埃隆 · 马斯克在昨日宣布 AI5 芯片流片后对特斯拉（TSLA）自研芯片计划进行了展望。

马斯克表示，一颗 AI5 芯片的有效算力是双芯 AI4 解决方案的 5 倍。后续的 AI6 芯片由三星电子晶圆代工业务在美国得州泰勒市晶圆厂以 2nm 工艺制造，配备 LPDDR6 内存，以类似的面积 (400+mm ) 实现性能翻倍。AI6.5 芯片则将由台积电（TSM）在美子公司 TSMC Arizona 以 2nm 制造，进一步提升性能。

芯片设计方面，AI6 和 AI6.5 均将有约一半的 TRIP AI 计算加速器与 SRAM 紧密结合，显著提升有效带宽。

IT之家注意到，AI5 芯片两侧封装的内存颗粒长宽差距明显，不符合 GDDR 系列芯片特征，很可能是 LPDDR5X；AI6 升级到 LPDDR6 也是理所应当。