SK海力士:HBM混合键合工艺良率已得到提升

2026-04-28 14:55:40
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SK海力士宣布,其高带宽存储器(HBM)混合键合工艺的良率已得到提升。公司技术负责人金钟勋(Kim Jong-hoon)表示,采用混合键合技术的12层HBM堆叠结构的验证工作已经完成,目前正在提高良率,以便将其应用于量产。(科创板日报)

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