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历时148天，长鑫科技IPO迎来关键性进展。5月27日，上交所官网显示，长鑫科技科创板IPO申请已通过上交所上市委审议，并在同日提交注册，正式步入注册程序。待中国证监会注册同意后，长鑫科技可以启动招股，登陆A股市场。长鑫科技是科创板试点IPO预先审阅机制后的首单受理及首单过会项目。此次公司拟募资295亿元，有望成为2026年以来A股最大IPO。
有分析人士认为：凭借行业龙头地位、业绩高增韧性与大额募资布局，长鑫科技成长空间备受市场期待。同时，其一步步完成证券化，也印证了存储芯片（886042）行业的高景气逻辑：随着AI算力需求持续爆发，产业链上下游设备、材料等多环节也将迎来机遇。
业绩高速增长 产能利用率稳步提升
长鑫科技专注于动态随机存取存储芯片（886042）（DRAM）的设计、研发、生产和销售。公司现已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，并可提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多样化的产品方案，可有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求。公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。咨询机构Omdia数据显示，按照产能和出货量统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。
作为国产DRAM龙头，长鑫科技“乘风”存储行业超级周期（883436），实现了业绩爆发。财务数据显示：公司2026年一季度实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；净利润330.12亿元，同比增长1268.45%；归母净利润247.62亿元，同比增长1688.30%。
产能方面，公司2023年、2024年和2025年产能均来自12英寸晶圆制造生产线，整体产能和产量快速增长，产能利用率稳步提升，分别为87.06%、92.46%和95.73%。
展望后市，长鑫科技给出的指引非常乐观。公司预计：2026年上半年营业收入为1100亿元至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；归母净利润为500亿元至570亿元，同比增长2244.03%至2544.19%；扣非净利润为520亿元至580亿元，同比增长2278.89%至2530.30%。
此次IPO，长鑫科技拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目和动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。
目前，朱一明任长鑫科技董事长。长鑫科技无控股股东、实际控制人，股权结构较为分散，不存在单一持股比例超过50%的股东。直接持有公司5%以上股份的股东为清辉集电、长鑫集成、大基金二期、合肥集鑫和安徽省投，截至招股书签署日，分别为21.67%、11.71%、8.73%、8.37%和7.91%。
景气周期延续 产业链多环节受益
半导体（881121）产业作为现代信息技术和数字经济（885976）的基石，在全球科技进步和经济发展中扮演着至关重要的角色。存储芯片（886042）作为集成电路的关键分支，是实现数据存取与读写功能的电子器件。
近年来，AI、HPC等新兴技术场景持续涌现，数据总量呈现爆发式增长，广泛的数据读写与传输需求驱动全球DRAM市场规模快速扩大。与此同时，本土终端厂商的崛起及其对于产业链生态建设的需求，为国产DRAM厂商带来了巨大机遇，存储行业高景气度有望延续。
当前，受供需错配影响，DRAM与NAND合约价格环比大幅上行，原厂议价能力显著提升，紧缺涨价格局仍具备较强延续性。CFM闪存市场数据显示，2026年一季度全球DRAM/NAND Flash市场规模达1371.4亿美元，环比增长81.6%，同比增长245%。
值得注意的是，国内存储原厂进入上行周期（883436）或将带动国内半导体（881121）制造资本开支增长，利好上游材料、设备等供应链各环节。
招股书显示，长鑫科技生产经营使用的主要原材料包括化学品、光阻剂、硅片、气体、靶材、备件及其他等。据公开资料，在此类领域，已有多家A股上市公司充分布局。
靶材方面，江丰电子（300666）超高纯钨靶主要应用在IC集成电路存储芯片（886042）中，其纯度达到5N以上（99.999%），关键特定有害杂质（如Na/K等）需控制在千万分之一以下水平。近年来，公司生产的超高纯钨靶已在多家国际知名存储芯片（886042）制造商实现批量应用。
硅材料方面，神工股份（688233）的大直径硅材料产品及其制成品硅零部件，是高端存储芯片（886042）制造所需等离子刻蚀环节中的核心耗材。目前，公司已进入国内主流存储芯片（886042）制造厂及等离子刻蚀设备制造厂的供应链。
化学品方面，兴福电子（688545）的通用湿电子化学品（881172）及功能湿电子化学品（881172），主要应用于集成电路领域电子元器件湿法工艺制程的蚀刻、清洗等工艺环节。公司已通过中芯国际（688981）、长江存储、长鑫存储、华虹集团、台积电（TSM）、SK海力士等知名集成电路厂商多种产品认证。
设备方面，面向存储器件制造工艺，中微公司（688012）的产品可覆盖绝大部分刻蚀应用。公司针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，先进逻辑器件中段关键刻蚀工艺和先进存储器件的超高深宽比刻蚀工艺，实现大规模量产。
平台型设备商北方华创（002371）的刻蚀、CVD、PVD、热处理、湿法清洗、电镀等设备，也成功适配3D NAND与HBM制造需求，已进入多家头部存储厂商的批量采购清单，成为其核心供应商。
