三安光电：公司磷化铟（InP）外延生长、芯片制造及封测工艺国内领先，已具备量产6吋InP光芯片的工艺能力

证券日报网讯6月3日，三安光电（600703）在互动平台回答投资者提问时表示，公司磷化铟(InP)外延生长、芯片制造及封测工艺国内领先，已具备量产6吋InP光芯片的工艺能力，未来将结合市场、客户情况推动InP光芯片向大尺寸发展。公司光技术产能2750片/月，已将核心工艺环节外延扩产至近6000片/月。