IT之家7月15日消息，当地时间7月14日，韩国存储芯片（886042）巨头SK海力士（SKHY）在纳斯达克（NDAQ）上市的存托凭证(ADR)迎来强劲行情，单日股价大涨27.29%收报193.92美元/股，创下美股上市以来新高。
这一轮暴涨使得SK海力士（SKHY）ADR相对韩国首尔市场普通股的溢价大幅攀升至51%。而在7月10日该股以存托凭证形式登陆纳斯达克（NDAQ）时，发行定价为每份149美元，上市首日开盘价170美元，收盘报168.01美元，较发行价上涨约12.8%。彼时ADR较韩国正股的溢价仅为15.53%左右。短短三个交易日，溢价水平便从约3%的发行价差急速膨胀至51%。
SK海力士（SKHY）此次赴美上市本身便创下了纪录。该公司通过发行1.779亿份美国存托股份(ADS)募集资金265亿美元，超过2014年阿里巴巴（BABA）的250亿美元融资规模，成为外国企业赴美融资规模最大的一次IPO。上市首日市值便达到1.22万亿美元，超越美光科技（MU），位居美股市值第11位。
推动SK海力士（SKHY）股价大涨的直接动力来自AI行业的需求爆发。作为英伟达（NVDA）等AI算力企业的核心HBM供应商，SK海力士（SKHY）在全球HBM市场占据绝对领先地位。
据 Counterpoint Research统计，2026年第一季度SK海力士（SKHY）以58%的市场份额位居全球HBM市场第一，三星电子和美光各占21%。机构预测SK海力士（SKHY）2026年全年HBM出货市占率约52%，若以销售额计算，HBM营收有望达59.5亿美元，稳居全球第一。
研究机构SemiAnalysis在7月14日发布的一份报告中指出，SK海力士（SKHY）2026年第二季度及未来的DRAM盈利将保持强劲，预计DRAM综合平均售价环比将大幅增长约45%。这份报告发布的时间点恰逢韩国本土券商韩国投资证券(KIS)此前一天下调了SK海力士（SKHY）二季度业绩预期，引发韩国市场股价单日暴跌超15%。SemiAnalysis的报告在很大程度上扭转了市场情绪，推动美股ADR强势反弹。
从行业层面看，全球存储芯片（886042）市场已走出前两年的产能过剩与价格低谷。据Gartner预测，全球存储半导体（881121）市场规模将从2025年的2160亿美元增长至2026年的6330亿美元，同比增长192.7%。HBM作为AI服务器的核心配件，需求尤为旺盛——2026年HBM需求预计同比增长90%。与此同时，HBM生产周期（883436）长达4至6个月，产能释放存在明显滞后，供需错配进一步推高了存储芯片（886042）价格。
目前全球存储市场基本由三星电子、SK海力士（SKHY）和美光三家垄断。凭借HBM领域的先发优势以及与英伟达（NVDA）的深度合作，SK海力士（SKHY）在此轮AI存储涨价潮中成为最大受益者之一。不过芯片行业周期（883436）性波动显著，后续若行业产能集中释放或AI终端需求增速放缓，存储芯片（886042）涨价节奏可能面临调整，股价也将随之承压。
