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7月15日，国产DRAM存储芯片（886042）龙头企业长鑫科技（688825）科创板上市网上投资者交流会在上海证券报.中国证券网、上证路演中心举行。根据安排，公司将于7月16日开启网上申购，距离登陆A股更进一步。
路演现场，长鑫科技（688825）董事长朱一明在回顾公司发展历程时，数次提到“坚定自主创新”。自2019年推出首颗自主设计的8Gb DDR4芯片，实现中国DRAM产业“从0到1”的历史性突破以来，长鑫科技（688825）坚持高强度研发投入，采取跳代研发策略，快速完成从第一代到第四代工艺平台的量产，实现DDR5、LPDDR5/5X等产品的覆盖和迭代。
“怀揣补齐短板、保障供应链安全的初心，我们选择走上一条重投入、长周期（883436）、高难度的自主研发之路。”朱一明说，“每一次技术突破的背后，都凝聚着无数长鑫人的坚守与付出，也见证着中国存储产业不断向前迈进的坚定步伐。”
据Omdia数据，全球DRAM市场规模有望从2025年的1505亿美元增长至2030年的5710亿美元，年均复合增长率达30.56%。然而，全球DRAM市场高度集中，主要被三星、SK海力士（SKHY）、美光等国际头部厂商占据，合计市场份额超过90%。
朱一明表示，在此背景下，持续推动产品与制程工艺的创新迭代、始终保持行业领先的技术水平，已成为在高度竞争的DRAM领域中维持生存与提升产品竞争力的核心要素。公司作为中国DRAM产业的龙头企业，产能规模已位居中国第一、全球第四，突破了DRAM关键核心技术并顺利实现产品自主研发、设计和商业化量产。
目前，长鑫科技（688825）的DRAM产品主要应用于移动设备、服务器及个人电脑领域。受益于数据中心等基础设施建设需求持续快速增长，公司把握行业发展趋势，于2024年底推出DDR5等更新代际产品并快速实现客户导入，应用于服务器领域的DRAM产品收入实现快速增长，年均复合增长率达536.24%。
当被问及技术难点，朱一明表示：“DRAM具有极高的技术门槛，制造过程涉及光刻、刻蚀、薄膜沉积、扩散及离子注入、化学清洗、化学机械抛光等数百道复杂而精密的工序，每一环节都对最终产品性能具有重要影响，必须通过严格的质量控制，才能确保最终芯片产品具备良好的性能及稳定的运行表现。”
在对精密制造极致追求的同时，长鑫科技（688825）的产能扩张也稳步推进。目前，长鑫科技（688825）在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂。在产品矩阵方面，公司已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，可提供内存DRAM晶圆、芯片、模组等多样化产品方案。
“公司计划推出更新代际产品，以支撑未来新一代信息技术产业快速发展的需求，随着产线建设的稳步推进，整体产能将持续提升，预计将进一步提升公司在全球市场的竞争力。”朱一明说。
面对DRAM行业的周期（883436）性特征，朱一明并未回避：“2025年下半年以来，公司的业绩增长确实受益于AI驱动的DRAM需求爆发及行业供需紧张，但DRAM行业具有强周期（883436）性，价格波动较大，且AI发展对DRAM市场需求存在不确定性。若宏观经济发生不利变化、AI需求不及预期或新产能集中释放，行业可能重回下行周期（883436）。”他表示，公司将持续通过技术迭代、产能优化和成本管控提升抗周期（883436）能力。
“登陆资本市场对长鑫科技（688825）而言，既是新的起点，更意味着新的责任。”朱一明表示，希望通过本次募集资金投资项目，进一步提升公司技术研发能力和产业化水平，增强对市场需求的保障能力。同时，发挥龙头企业的带动作用，促进产业链协同发展，为国内集成电路产业生态建设贡献更大力量。
面向未来，朱一明表示，长鑫科技（688825）将始终坚持自主创新的发展道路，继续保持对技术的敬畏、对创新的投入和对产业的热爱，持续提升核心竞争力，努力建设具有全球影响力的半导体（881121）存储企业。
