IT之家7月22日消息，韩媒sedaily于7月20日发布博文，报道称在NAND Flash闪存供应方面，三星正扩大和英伟达（NVDA）的合作，向后者供应超过60%的V-NAND(垂直NAND)产能。
IT之家注：V-NAND是一种通过纵向堆叠存储单元提升容量与密度的闪存架构。与平面NAND相比，它可在相同芯片面积内容纳更多存储层，常用于企业级SSD、数据中心存储和高容量移动存储产品。
报道指出伴随着AI服务器规模扩大，临时上下文数据(Key-Value cache，也称KV缓存)规模持续扩大，已开始形成数据瓶颈。英伟达（NVDA）希望通过Context Memory Storage(上下文内存存储，CMX)缓解这一限制，三星已成为相关NAND供应方。
英伟达（NVDA）目前用于AI服务器的CMX搭载576块SSD，总存储容量达到9600TB。业内预计，CMX所需的NAND需求2026年为3500万TB，而2027年将激增到1亿TB以上。
鉴于三星今年的NAND产量预计将达到约2.5亿TB，三星计划凭借其世界一流的产能，成为英伟达（NVDA）CMX的核心供应商。
在产线规划方面，三星电子V-NAND产能目前每月超过10万片晶圆，其中V9(286层)占60%，良率已升至80%以上，进入量产稳定阶段；V8占比已降至40%以下，去年以来产能快速向V9转移。
消息称V10可提供更高堆叠层数，让英伟达（NVDA）能在同一CMX模块内配置更高容量SSD，进一步承接GPU外溢的上下文数据。
技术路线方面，报道称，三星正研究面向英伟达（NVDA）CMX的V11NAND，其最高堆叠高度可达500层，V11比V10多100层；V10的存储密度较V9(286层)提高50%。
