机构:AI光模块+NV-CoWoP预计将带动mSAP-PCB快速扩容

2026-07-27 18:08:42
来源:财闻
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问财摘要

1、国金证券指出,mSAP工艺适用于线宽线距要求高的应用场景,相较传统的减成法,mSAP具备多项优势。光模块+NV-CoWoP催化mSAP-PCB快速扩容,mSAP-PCB对于上游材料和设备的拉动包括直写光刻、电镀线、载体铜箔、药水、low-CTE电子布、low-dk二代布、HVLP4铜箔等方向。 2、风险提示包括算力需求不及预期、行业竞争格局恶化的风险、原材料价格波动的风险。
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国金证券--
消费电子--
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7月27日,国金证券(600109)在非金属建材(850107)行业研究研报中指出,高端扩容,MSAP-PCB的增量贡献。

1、mSAP 工艺适用于线宽线距要求高的应用场景SLP 类载板,是指具有接近于IC 载板特征尺寸的PCB,主要特征是线宽和线距(L/S)尺寸界于常规PCB 和IC 载板之间,传统PCB 以及HDI 板的线宽和线距尺寸大于30/30 um,而IC 载板的线宽和线距通常小至15/15 um。SLP 制造工艺采用mSAP,mSAP 从薄的层压铜箔(1.5-5.0um)开始,以薄铜为种子层、进行图形电镀与闪蚀。

相较传统的减成法,mSAP 具备以下优势:①图形电镀,只镀所需区域,铜厚低,②正片曝光,精度更高,③快速蚀刻,咬蚀超薄铜箔,④线宽/线距可达15um 以下,⑤垂直显影,均匀无划痕。

2、光模块+NV-CoWoP 催化mSAP-PCB 快速扩容

mSAP 最初应用场景主要为智能手机,2017年iPhone 要求PCB 密度类似于封装载板,产生SLP 需求、带动mSAP 工艺发展。

2018年初,三星Galaxy 手机也采用SLP 设计。除消费电子(881124)外,AI 预计将带动mSAP-PCB 市场需求快速扩容:①光模块向800G-1.6T-3.2T 迭代,需要使用类载板(SLP)承接、使用mSAP 工艺制备;②英伟达(NVDA)等相关头部企业提出的CoWoP 技术路线,该路线场景下传统封装基板被取消,芯片通过硅中介层直接与高精度PCB 主板连接,倒逼主板线路细化、类载板化。

3、mSAP-PCB 对于上游材料和设备的拉动:

(1)直写光刻:mSAP 要求曝光的线宽线距降至15um,光模块、CoWoP 技术所用的SLP 需求上升,下游厂商扩产意愿增加,拉动mSAP 直写光刻设备需求增长。国内mSAP 直写光刻设备厂家主要是芯碁微装(HK9630),设备性能已经比肩海外设备厂商,加上设备交付周期(883436)显著短于海外厂商,有望充分受益本轮国产替代。

(2)电镀线:mSAP 要求铜厚均匀性控制在±5%以内(传统工艺±10%),对电镀精度提出更高要求,要求VCP(垂直连续电镀)以及水平三合一电镀(除胶+沉铜+闪镀铜,mSAP 前道种子层)设备。国内电镀设备厂家包括东威科技(688700)等,东威VCP 国内超50%市占率,预计海外拓展将分阶段推进。

(3)载体铜箔:日本三井金属占据载体铜箔超90%市场份额,三井当前产能约500万平/月、预计到2028年提升至580万平/月,扩产幅度不大。载体铜箔下游需求快速增长(除光模块、NV-CoWoP 外,高端存储芯片(886042)目前紧缺,海内外头部企业扩产进一步放大载体铜箔供需缺口),而上游供给相对偏紧,有望推动下游客户加快对国产产品的验证导入。国内载体铜箔的参与者包括铜冠铜箔(301217)方邦股份(688020)德福科技(301511)等。

(4)药水:mSAP 技术难点环节主要在基铜、电镀、闪蚀等,其中闪蚀目的是快速蚀刻掉基铜及电镀铜,由于线路铜由基铜以及电镀铜组成,药水对两种铜的蚀刻存在差异,侧蚀成为闪蚀的控制难点。国内mSAP 药水参与者主要包括光华科技(002741)天承科技(688603)等。

(5)low-CTE 电子布:mSAP-PCB 中的mSAP 层预计使用T 布。T 布预计2026年继续呈现涨价趋势,由于日东纺的新T 布产能预计于26H2才能释放,短期供应紧张或难以缓解。国内T 布有布局的玩家包括宏和科技(603256)中材科技(002080)国际复材(301526)

(6)low-dk 二代布、HVLP4铜箔:1.6T 光模块mSAP-PCB 中的HDI 预计使用M8+二代布+HVLP4铜箔的搭配。①HVLP4铜箔,全球龙头三井金属扩产、印证产业趋势。我们预计ASIC 平台(亚马逊(AMZN)、谷歌等)及NV 在2026年高阶方均会大量采用HVLP4铜箔方案,因此我们看好2026年全系列PCB 铜箔的涨价趋势。国内HVLP4有产能厂家主要包括铜冠铜箔(301217)。②low-dk 二代布,2026年存在明确供需缺口,随着谷歌V8及以上TPU/NV-Rubin 架构全面放量,我们预计将大量拉动Low-Dk 二代布需求。国内二代布主要参与者包括国际复材(301526)中材科技(002080)宏和科技(603256)中国巨石(600176)、光远新材。

mSAP 工艺适用于线宽线距要求高的应用场景(线宽/线距可达15um 以下),技术难点环节主要在基铜、电镀、闪蚀等。mSAP最初应用场景主要为消费电子(881124),AI 光模块+NV-CoWoP 预计将带动mSAP-PCB 快速扩容。mSAP-PCB 对于上游材料的拉动方面,我们建议关注①直写光刻,②电镀线,③载体铜箔,④药水,⑤low-CTE 电子布,⑥low-dk 二代布、HVLP4铜箔等方向。

风险提示:算力需求不及预期;行业竞争格局恶化的风险;原材料价格波动的风险。

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